ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

در این پایان نامه پس از شرحی کوتاه در باره دلیل علاقه به پلی کریستال کردن نیمه هادی برای تولید افزاره های نیمه هادی، مخصوصا" ترانزیستور لایه نازک ، روشهای اصلی پلی کریستالی کردن سلیکان لایه نشانی شده در دمای قابل تحمل توسط شیشه عادی معرفی شده و سرانجام روش جدید بلوری کردن سلیکان با کمک ژرمانیوم و در حضور میدان الکتریکی و در دمای کمتر از 550درجه سانتیگراد ارائه شده است . سپس برای شناسایی کیفیت ا...

هدف از انجام این پژوهش ساخت غشای مرکب لایه نازک پلی آمید و بررسی نقش عوامل موثر هنگام ساخت این غشا بر میزان شار و نمکزدایی آن می باشد. این غشا از سه لایه شامل منسوج بی بافت پلی استر، غشای متخلخل پلی سولفون و غشای متراکم و نازک پلی آمید تشکیل می شود. به هنگام ساخت غشای پلی سولفون به روش وارونگی فازی، عوامل مختلف تهیه شامل حمام انعقاد، غلظت محلول، دمای محلول، دمای حمام آب، ترکیب حمام و دمای حرارت...

نیم رساناهای ترکیب گروه ii-vi به دلیل ویژگی های فیزیکی بدیع و کابردهای فراوان در ابزار اپتوالکترونی، مورد توجه بسیار قرار گرفته اند. سلناید روی (znse)یکی از این ترکیب ها است که ساختار مکعبی بلِند روی و نوار گاف مستقیم در حدود ev 76/2 در دمای اتاق دارد. سلناید روی قابلیّت کاربرد در دیودهای نور افشان، ترانزیستورهای لایه ی نازک، آشکارسازهای نوری فرابنفش و آبی، و نیز قطعات نوری لیزرهای توان بالا را د...

در این مقاله، به بررسی اثر افزودن نانو ذرات اکسید قلع (SnO2) به پلی(3،4 اتیلن دی اکسی تیوفن) پلی(استیرن سولفونیت) (PEDOT:PSS) جهت تولید نانوکامپوزیت لایه نازک PEDOT:PSS/SnO2 به عنوان حسگر گاز مونواکسید کربن (CO) پرداخته شده است. تولید لایه نازک این کامپوزیت به­وسیله دستگاه پوشش دهنده چرخشی انجام شده است. نانوکامپوزیت به دست آمده با استفاده از تکنیک­های آزمایشگاهی FTIR، AFM و XPS مورد بررسی قرار...

در این پژوهش، لایه نازک دی اکسید تیتانیوم آلاییده شده با وانادیوم با غلظت­های مختلف ( 5/1،0 و 5 درصد وزنی) به روش سل-ژل بر روی زیرلایه­های شیشه­ای رسوب داده شد. خواص ساختاری، آنالیز عنصری، الکتریکی، اپتیکی و زبری سطح لایه­های نازک به ترتیب توسط روش­های XRD، DES، LCR meter، طیف سنجی UV-Vis  و AFM مورد مطالعه قرار گرفت.  نتایج الگوی XRD نشان داد که لایه­های نازک دارای ساختار پلی کریستالی تتراگونا...

در این تحقیق، ابتدا لایه های نازک غشایی از جنس کوپلیمر پلی آمید-پلی اتر روی پایه های سرامیکی نانوکامپوزیتی کشیده شد.  سپس عملکرد این غشاها برای جداسازی co2از ch4و n2مورد ارزیابی قرار گرفت.  برای جداسازی co2از ch4میزان انتخابگری غشا در فشارهای کمتر از bar5/3 بسیار بالا و در فشارهای بالاتر بین 25-20 به دست آمد.  همچنین انتخابگری این غشاها برای جداسازی co2از n2در کل محدوده فشار مورد آزمون (bar9-1)...

چکیده در فصل اول به معرفی و بررسی آینه های چندلایه های پرداخته ایم و تلاش کردیم تا خواننده با کاربردهای این ساختارها آشنا گردد و همچنین مواد مورد استفاده در ساخت این آینه ها را معرفی کردیم که از بین این مواد پلیمرها از اهمیت بسزایی برخوردار هستند. ویژگی های اصلی دو پلیمری که در این پایان نامه بکار گرفته شده را بیان می کنیم. در قسمت بعدی این فصل با آگاهی به این واقعیت که لایه نازک ما تهیه گردید...