با توجه به اهمیت و مزایایی که ترانزیستورهای دو قطبی نامتجانس در کاربردهای مایکروویو دارند مطالعات وتحقیقات بیشتری در مورد این ترانزیستورها احساس می شود نظر به اینکه هدف این پایانه نامه شبیه سازی ترانزیستور با بهره گیری از تکنیک های هوش محاسباتی می باشد لذا از این جهت که در نهایت پیش بینی رفتارو عملکرد این ترانزیستوربا دقت بیشتر ، سرعت عمل بالاتر و زمان اندکی نسبت به روشهای قبلی دارد حائز اهمیت ...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدی...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش های اصلی پردازنده های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع کننده ی جدیدی با بهره گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...