نتایج جستجو برای: ترانزیستورها

تعداد نتایج: 171  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران - دانشکده علوم 1348

چکیده ندارد.

در این مقاله، یک ساختار جدید برای آینه جریان معرفی شده است که ضمن ارائه پهنای باند فرکانسی وسیع، مقاومت بالایی را نیز در برابر تغییرات تصادفی پروسه ساخت و ناهمجوری ترانزیستورها از خود نشان می‌دهد. پاسخ فرکانسی و همچنین دقت و صحت انتقال جریان مدار پیشنهادشده با این دو مشخصهِ آینه جریان ساده مقایسه شده است. برای بررسی اثرات تغییر پارامترهای ناشی از فرایند ساخت و ناهمجوری ترانزیستورها از شبیه‌سازی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی 1392

با توجه به مشکلاتی که با کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون (به منظور افزایش سرعت، افزایش چگالی ادوات و ...) برای ادوات سیلیکونی پیش آمده است نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که به عنوان نامزدی برای استفاده در ترانزیستورها به عنوان ماده کانال مطرح است نانولوله کربنی است. نانولوله کربنی با توجه خواص فوق العاده اش مانند رسانندگی بالا، انتقال بالیستی...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammadreza hajmirzaheydarali nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. meharnosh . sadeghipari nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. samana soleimani-amiri nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. mahdi akbari nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. alireza shahsafi nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran hosen hajhosseini nano-electronics lab, nano-electronics center of excellence, school of electrical and computer engineering, university of tehran. fhatama salehi

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1393

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1394

لایه های نازک نیمرسانای اکسیدی شفاف به خاطر اثرات الکتریکی و نوری آنها در ناحیه طیف مرئی همواره مورد توجه بوده اند،کاربردهای وسیع آنها در دستگاههای نوری، الکترونیکی، ترانزیستورها، دیودها وغیره باعث شده که بیشتر مورد توجه قرارگیرند.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

محققین، ادوات اسپینی را جهت بهبود عملکرد ادوات الکتریکی پیشنهاد داده اند. ادوات اسپینی مهمترین نقش خود را در ساخت ترانزیستورها ی اسپینی ایفا کرده اند. همانطور که در این پایان نامه نیز به آن خواهیم پرداخت، ترانزیستورهای اسپینی بر روی صفحه ی گرافینی با برخورداری از قابلیت گرافن جهت رفع چالش های ترانزیستورهای فعلی ارایه شده اند. که سرعت این ترانزیستورها به علت بالا بودن سرعت حرکت الکترونها در سطح ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده مهندسی 1392

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم پایه 1393

در این پایان نامه، بر اساس رهیافت تابع گرین و هامیلتونی تنگابست، در تقریب نزدیکترین همسایه ها، به بررسی ترابرد الکترونی در ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی، بر اساس تونل زنی کوانتومی، خواهیم پرداخت. این ترانزیستورها شامل دو نانونوار گرافینی است؛ که چند لایه بور-نیترید در بین آن ها جای گرفته است. نتایج نشان می دهد، که در انرژی هایی در محدوده سد تونل زنی، ترابرد حامل های بار به تعداد لایه های بور...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید