در سال های اخیر کوچک سازی ترانزیستورهای cmos متداول به تکنولوژی های زیر 100 نانو متر برای دست یابی به چگالی مجتمع سازی بالاتر و سرعت بیشتر با چندین مشکل روبه رو شده است از جمله: افزایش سوئینگ زیر آستانه، جریان نشتی بالا در حالت خاموش، کاهش سد با القاء درین(dibl) و اثرات کانال کوتاه دیگر. ترازیستور اثر میدان تونلی(tfet) یکی از امید بخش ترین افزاره ها برای جایگزینی ترانزیستور اثر میدان فلز – اکسی...

چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

صدمات ناشی از کاویتاسیون در سازه‌های هیدرولیکی یکی از مسائل مهم و حساس این ابنیه می‌باشد که گزارش‌های متناوبی از آن قابل مشاهده است. در این ارتباط هوادهی بعنوان یکی از راهکارهای شناخته شده جهت کاهش خطرات و صدمات ناشی از این پدیده معرفی گردیده که به دلیل موفقیت و تاثیر فزاینده آن، کاربردهای وسیعی را در انواع سازه‌ها یافته است. این راهکار به جهت هزینه نسبتا کمتر و سهولت اجرا، مورد توجه طراحان ساز...

چکیده ندارد.

صدمات ناشی از کاویتاسیون در سازه های هیدرولیکی یکی از مسائل مهم و حساس این ابنیه می باشد که گزارش های متناوبی از آن قابل مشاهده است. در این ارتباط هوادهی بعنوان یکی از راهکارهای شناخته شده جهت کاهش خطرات و صدمات ناشی از این پدیده معرفی گردیده که به دلیل موفقیت و تاثیر فزاینده آن، کاربردهای وسیعی را در انواع سازه ها یافته است. این راهکار به جهت هزینه نسبتا کمتر و سهولت اجرا، مورد توجه طراحان ساز...

در سال های اخیر ترابرد جریان اسپین قطبیده از ساختار های چند لایه ای نیمرسانای غیرمغناطیسی / نیمرسانای مغناطیسی رقیق شده (dms/nms) به دلیل کاربرد آنها در اسپینترونیک توجه زیادی را به خود معطوف کرده است. در این پایان نامه به طور نظری آثار جفت شدگی اسپین- مدار راشبا را روی مغناطومقاومت و قطبیدگی اسپینی ساختار سد دو گانه dms/nms در حضور میدان مغناطیسی بررسی نمودیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که ...