با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

مدلهای سیال به عنوان یکی از تکنیکهای دقیق مدل سازی تخلیه الکتریکی گازها نیازمند پارامترهای تجمعی می باشند. در این مقاله معادلات پیوستگی برای انتقال الکترون و انتقال انرژی برای محاسبه پارامترهای مذکور با استفاده از توابع توزیع انرژی الکترون (eedf) که با تقریب دو جمله ای از حل معادله بولتزمن بدست آمده، توسعه داده شده است. نتایج محاسبات و شبیه سازیها شامل ضرایب انتشار چگالی تعداد الکترونها، چگالی ...

در این کار پژوهشی تحرک پذیری گاز الکترونی دو بعدی (‏‎2deg‎‏) در ساختارهای نامتجانس ‏‎algan/gan‎‏ در حضور اثرات قطبشی خودبخود و پیزوالکتریکی محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از حل تحلیلی معادلات شرودینگر و پواسون صورت گرفته است. نتایج نشان می دهد علی رغم اینکه میدانهای قطبشی بطور قابل توجهی تراکم بار ورقه دو بعدی را افزایش می دهند. تحرک پذیری کاهش می یابد. با افزایش خمیدگی باندی و به دنبال آن ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این مقاله ساختار باند الکترونی با استفاده از روش lapw برای ترکیب ru1-xcrxcao3  و با ساختن ابر سلول مناسب محاسبه شده است. با افزایش cr در این ترکیب، چگالی حالات الکترونی زیاد می شود. ممان مغناطیسی هر کدام از اتمها از محاسبات lsda بدست آمده است. با افزایش ناخالصی cr در ترکیب، الکترونها جایگزیده تر می شوند و ممان مغناطیسی الکترونهای ru افزایش می یابد. پارامترهای مربوط به اندرکنش الکترون- الکترو...

ابر شبکه ها ساختارهای متناوب از دو ماده هستند که ضخامت این لایه ها حدود چند نانومتر است، این قطعات دارای کاربردهای وسیعی هستند از جمله می توان به ساخت آشکارسازهای نوری و تقویت کننده ها و نوسان کننده های الکتریکی اشاره کرد. یکی از مزیت های استفاده از ابر شبکه ها، وابستگی ساختار نواری به مشخصه های ماده کپه ای و همچنین ساختار هندسی ابر شبکه است. در ابرشبکه های نوع ii به دلیل شکل پروفایل نواری آنها...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...