خصوصیات کلی تحرک پذیری وابسته به میدان الکتریکی به این صورت است که افزایش میدان الکتریکی باعث افزایش انرژی الکترون ها شده واین امر منجر به تولید فونون و افزایش پراکندگی بین آن ها می شود و در نتیجه آن تحرک پذیری کاهش می یابد. در حالت کلی تحرک پذیری در میدان های الکتریکی پایین تا رسیدن به یک میدان بحرانی ثابت باقی مانده و آن سوی میدان بحرانی با افزایش میدان الکتریکی شروع به کاهش می کند. در این ت...

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای te cd0.2 hg0.8 محاسبه و با دو نیمرسانای cdteو hgte مقایسه شده است. در محاسبه تحرک پذیری، پراکندگی از فونون های آکوستیکی، پیزوالکتریک، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه...

در سال های اخیر، سلول های خورشیدی پلیمری به علت هزینه ی پایین تولید، ساخت آسان، وزن کم و انعطاف پذیری مناسب مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. یکی از معایب این دستگاه ها راندمان پایین تبدیل انرژی در آنهاست (در حدود 10%) که بایستی قبل از تجاری شدن بهبود یابد. راندمان این دستگاه ها با افزایش جمع آوری حاملان بار توسط الکترودها قابل افزایش می باشد. اکسیدهای رسانای شفاف به عنوان لایه ی ان...

چکیده ندارد.

مدلهای سیال به عنوان یکی از تکنیکهای دقیق مدل سازی تخلیه الکتریکی گازها نیازمند پارامترهای تجمعی می باشند. در این مقاله معادلات پیوستگی برای انتقال الکترون و انتقال انرژی برای محاسبه پارامترهای مذکور با استفاده از توابع توزیع انرژی الکترون (eedf) که با تقریب دو جمله ای از حل معادله بولتزمن بدست آمده، توسعه داده شده است. نتایج محاسبات و شبیه سازیها شامل ضرایب انتشار چگالی تعداد الکترونها، چگالی ...

در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

ابر شبکه ها ساختارهای متناوب از دو ماده هستند که ضخامت این لایه ها حدود چند نانومتر است، این قطعات دارای کاربردهای وسیعی هستند از جمله می توان به ساخت آشکارسازهای نوری و تقویت کننده ها و نوسان کننده های الکتریکی اشاره کرد. یکی از مزیت های استفاده از ابر شبکه ها، وابستگی ساختار نواری به مشخصه های ماده کپه ای و همچنین ساختار هندسی ابر شبکه است. در ابرشبکه های نوع ii به دلیل شکل پروفایل نواری آنها...

در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی دمایی (K 600-77) خواص ترابری الکتریکی گاز الکترون دو بعدی (2DEG) در ساختار ناهمگون Al0.83In0.17N/GaN در دو حالت با و بدون لایه میانی پرداخته‌ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار‌های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در نمونه با لایه میانی تراکم دررفتگی‌ها به میزان 8/2 برابر نسبت به نمونه بدون لایه میانی کاهش یافته و این امر منجر به افزایش تحرک پ...