در این پایان نامه رفتار زمانی آنتروپی فون نویمن به عنوان سنجه ای برای اندازه گیری درهم تنیدگی بین اتم های سه ترازه v شکل و مجموعه ای از فوتون های یک میدان الکترومغناطیسی دو مد مطالعه شده است. برهمکنش اتم-فوتون را در یک کاواک غیر خطی کر مانند با وجود جفت شدگی وابسته به شدت در نظر گرفته و به کوانتیزه کردن میدان الکترومغناطیسی در این محیط می پردازیم. با معرفی یک عملگر کازیمیر، n، که ویژه مقایراش ت...

هنگامیکه اتمها در مجاورت یک سطح رسانا قرار می گیرند، در ترازهای انرژی ودر نتیجه در طیف تابشی آنهاتغییراتی بوجود می آید. در این پایان نامه، پس از بررسی کلاسیکی تابش یک دو قطبی الکتریکی در مجاورت یک صفحه رسانای کامل و نامحدود، برهمکنش یک سیستم کوچک s و یک منبع بزرگ r را فرمولبندی می کنیم. با توجه به هامیلتونی مربوط به جفت شدگی سیستم کوچک s و منبع بزرگ r و با استفاده از نظریه اختلال در الکترودینام...

در این پروژه مطالعات نظری بر روی  ساختار و ماهیت پیوندهای  C EوE M  در برخی از کمپلکس های N-هتروسیکلیک کاربن با فرمول عمومی   [NHC→E2H4→M(CO)5]; (E=Ge, Sn, Pb, M=Cr, Mo, W) در سطح تئوریM06/def2-TZVP  گزارش شده است. انرژی برهمکنش پیوندهای C E  و E M در کمپلکس های فوق  محاسبه و مقادیر حاصل نشان داد که انرژی برهمکنش پیوندهای C→E  و E→M  در حضور اتم M یکسان و با تغییر اتم E از Ge به سمت Pb کاهش می ...

خواص ساختاری و الکترونی کلاسترهای نقره از 2 تا 10 اتم و برهمکنش آنها با کربن مونو اکسید با استفاده از نظریه تابعی دانسیته بررسی شده است. فاصله تعادلی متوسط Ag-Ag و انرژی اتصال بر اتم، با بزرگتر شدن کلاستر افزایش می یابند و نهایتا به مقادیر تجربی آنها برای توده نزدیک می‌شوند. کلاستر Ag3 دارای کمترین اختلاف انرژی مربوط به اوربیتالهای هومو و لومو (ΔEH-L) است که نشان دهنده واکنش پذیری بیشتر این کلا...

هدف از انجام این تحقیق مطالعه نظری اختلاف کوانتومی بر هم کنش اتم و فوتون تحت تاثیر نوفه است. در فصل اول ابتدا به بیان مقدمه و مفاهیم و تعاریف بنیادی اطلاعات کوانتومی می پردازیم. در فصل دوم به بررسی روابط مربوط به همبستگی اطلاعات متقابل و آنتروپی و بررسی روابط مربوط به تصویرگرها و جنبه های کلاسیکی همبستگی کوانتومی و بررسی شرایط همبستگی کلاسیکی و روابط اختلاف کوانتومی ماتریس چگالی حالت x و اندازه...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این پایان نامه برهمکنش وان در والس بین دو اتم مورد مطالعه و محاسبه قرار گرفته اند. پیش تر برهمکنش وان در والس بین دو اتم برانگیخته در فضای تهی و تنها با در نظر گرفتن گذار های مربوط به گشتاور دو قطبی الکتریکی اتم محاسبه شده بودند، اما در اینجا، فرمول های جدیدی به دست آورده شده اند که به برهمکنش وان در والس دو اتم پارامغناطیسی برانگیخته در حضور ماده مغناطوالکتریک دلخواه مربوط هستند. برای محاسب...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...