تا قبل از سال 1946 تصور همگان بر این بود که پدیده گسیل خود بخودی یک پدیده ذاتی و غیرقابل کنترل است ولی در سال 1946 پورسل نشان داد که پدیده گسیل خود بخود را با استفاده از مواد با نوار ممنوعه فوتونی می نوان تحت کنترل درآورده و در ساختارهای خاصی می توان مانع از گسیل خود بخودی شد. به طور کلی ساختارهایی گفته می شود که به علت تناوب و دیگر خصوصیت منحصر به فردشان در بسامدهای خاصی برای موج الکترومغناطیس...

در این مقاله روشی برای فعال کردن یک واتافتگر مبتنی بر بلور فوتونی دوبعدی پیشنهاد شده است. ساختار استفاده شده در این مقاله از میله های استوانه ای ماده عایق الکتریک در بستری از هوا با شبکه مربعی تشکیل شده است. برای این منظور ابتدا یک واتافتگر با ساز و کار طول موج گزینی متشکل از یک نقص تشدید ارائه شده و سپس ساختار تواناساز پیشنهادی روی آن پیاده شده است. برای رسیدن به این هدف از ترکیب مخرب دو پرتو ...

دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پای...

در دهه گذشته، یک فناوری جدید بوجود آمد که توانست مشکل آنتن های میکرواستریپ در پهنای باند وسیع را برطرف سازد. در این تکنولوژی می توان با ترکیب بندیِ شکل جدیدی از زیرلایه ی آنتن های پَچ، یک باند ممنوع? فرکانسی از امواج الکترمغناطیسی را بوجود آورد. این کار باعث بهبود در بازدهی و پهنای باند آنتن های پچ و از طرفی باعث کاهش لوپ های تشعشعیِ کناری و کاهش سطوح تداخل در آنها می شود. این زیرلایه های، اصطلاحاً...

روش های مختلفی برای به دست آوردن ساختار باند بلورهای فوتونی وجود دارد که در فصل اول به روش هایی مانند ماتریس انتقال، روش بسط بر حسب امواج تخت و روش تفاضلات متناهی حوزه ی زمان (fdtd) اشاره کرده ایم و در فصل دوم، روش محاسبه ی گاف باندهای یک بلور فوتونی را با استفاده از روش ضرایب فرنل به طور مفصل شرح داده ایم و سپس در فصل سوم، نتایج حاصل را با نتایج به دست آمده از روش ماتریس انتقال مقایسه نموده ایم.

بلورهای فوتونی ساختارهای دی الکتریک متناوبی هستند که بصورت مصنوعی ساخته شده و قادر به کنترل کامل انتشار نور می باشند. در واقع هدف اصلی در مطالعه بلورهای فوتونی بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در این بلورها می باشد. بلورهای فوتونی دارای ساختار باندهایی می باشند که از مشخصه های بلور بوده و شامل نوارهای فرکانسی مجاز و ممنوعه است. چنانچه تناوب ضریب دی الکتریک در دو جهت باشد بلور فوتونی دو بعدی اس...

آنتن های پچ مایکرواستریپ به علت سبکی وزن، ابعاد کوچک، انعطاف پذیری بالا و سهولت مجتمع شدن با مدارات مایکروویو در سیستم های مخابرات بی سیم مانند تلفن های سلولی، رادارها و مخابرات ماهواره کاربرد های فراوان دارند. اگرچه از معایب عمده آن ها می توان به باریک بودن پهنای باند ، پایین بودن کارایی و وجود امواج سطحی اشاره کرد. به منظور غلبه بر مشکلات موجود تاکنون راه حل های زیادی مانند استفاده از ساختاره...

از مهم ترین مزایای بلورهای فوتونی وجود باند ممنوعه در آنها است که از آن در طراحی مالتی پلکس تسهیم طول موج، wdm، و مالتی پلکس تسهیم طول موج متراکم، dwdm، استفاده می کنیم. در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی ساختارهای wdm و dwdm با استفاده از چیدمان بلور فوتونی انجام و نتایج حاصله بیان شده است. ضمن مطالعه خواص اساسی بلورهای فوتونی انواع بلورهای فوتونی از جمله ساختار متناوب یک بعدی، روش محاسبه بان...

بلورهای فوتونی ساختارهای جالبی هستند که توانایی کنترل جریان های فوتونی بوسیله تشکیل گاف باند فوتونی را دارند. رفتار فوتونها در بلورهای فوتونی مشابه رفتار الکترونها درون بلورهای نیمرساناست که بوسیله باند های رسانش و ممنوعه کنترل می شوند، به همین دلیل امروزه از فوتونهای با سرعت بالا بجای الکترونهای کند برای انتقال اطلاعات استفاده می شود. در طراحی وساخت بلورهای فوتونی از انواع مختلف مواد اعم از دی...

بلورهای فوتونی ساختارهای متناوبی هستند که به منظور کنترل انتشار نور به طور مصنوعی طراحی شده اند. بسته به نوع مواد تشکیل دهنده بلورهای فوتونی به دو دسته تقسیم می شوند: (1) بلورهای فوتونی دی الکتریک (2) بلورهای فوتونی پاشنده مانند بلورهای فوتونی فلزی، نیمه هادی و مغناطیسی. در یک بلور فوتونی اندرکنش نور با ضریب شکست متناوب بلور باعث ایجاد نواحی مجاز و ممنوعه فرکانسی (گاف باند فوتونی) در گستره طول ...