باز اتصالی مغناطیسی که در پلاسماهای با رسانندگی الکتریکی بالا رخ می دهد، باعث تغییر ساختار خطوط میدان مغناطیسی و تبدیل انرژی مغناطیسی به انرژی جنبشی، گرمایی و شتاب دهی ذرات باردار می شود. این فرایند نقش مهمی در تغییر دینامیک پلاسماهای آزمایشگاهی، مانند پلاسمای هم جوشی توکامک و پلاسماهای فضایی، مانند کرونای خورشید، بازی می کند. میدان های الکتریکی و مغناطیسی تولید شده در بازاتصالی مغناطیسی باعث ش...

باز اتصالی مغناطیسی که در پلاسماهای با رسانندگی الکتریکی بالا رخ می¬دهد، باعث تغییر ساختار میدان مغناطیسی و انتقال انرژی مغناطیسی به انرژی جنبشی،گرمایی و شتابدهی ذرات باردار می¬شود. این فرایند نقش مهمی در تغییر دینامیک پلاسماهای آزمایشگاهی، مانند پلاسمای همجوشی توکامک و پلاسماهای فضایی، مانند کرونای خورشید، بازی می¬کند. میدان¬های الکتریکی و مغناطیسی تولید شده در بازاتصالی مغناطیسی باعث شتاب گرف...

پدیده بازاتصالی مغناطیسی در پلاسمای با رسانندگی بالا اتفاق می افتد و باعث تبدیل سریع انرژی مغناطیسی محیط به انرژی گرمایی و جنبشی پلاسما و همینطور شتابدار شدن ذرات باردار در محیط میشود و ساختار میدان مغناطیسی را نیز تغییر می دهد. این پدیده در پلاسماهای تحقیقاتی همجوشی هسته ای (پلاسمای توکاماک) و در پلاسماهای طبیعی فضایی نظیر شراره های خورشیدی، کرونای خورشیدی، ستاره های نوترونی و مگنتوسفر زمین و....

شراره های خورشیدی از جالبترین و جذاب ترین پدیده ها در خورشید می باشند. شراره های خورشیدی قدرتمندترین شتاب دهنده ها در سیستم خورشیدی اند. این انفجارات گذرا، مقدار فوق العاده ای از انرژی را در مدت کوتاهی 100 تا 1000 ثانیه آزاد می کنند، هنوز به درستی چگونگی منشأ آن ها را نمی دانیم. یکی از دلایل وقوع شراره و آزاد سازی انرژی در تاج خورشید باز اتصالی میدان مغناطیسی خورشید می باشد که ناشی از حرکت های ...

ریزپرتاب های جرم تاجی رویدادهای انفجاری کوچک مقیاس‏ همراه با موج ای آی تی هستند. تشخیص این رویدادها در طول موج‎171 ‎ آنگستروم و در نواحی آرام به دلیل کم بودن فعالیت های پس زمینه بهتر امکان پذیر می باشد. در این رساله از تصاویر ‎ای آی ای‎ ماهواره اس دی او مربوط به دو روز ‎ 29 ژانویه و ‎13 فوریه ‎ 2011با طول موج ‎ 171 ‎ آنگستروم، قدرت تفکیک ‎ 0.6 ‎ و آهنگ زمانی ‎ 90 ‎ و ‎ 45 ثانیه و تصاویر مغناطیس...

در مقاله حاضر، سقوط قطره سیال فرو در سیال غیر مغناطیسی تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواخت در جریان دوفازی به صورت عددی مطالعه می شود. برای این منظور، از روش ترکیبی شبکه بولتزمن مدل شان- چن و روش حجم محدود استفاده شده است. معادله شبکه بولتزمن با استفاده از اضافه کردن ترم نیروی مغناطیسی جهت به روزرسانی میدان جریان حل می شود، در حالیکه معادله القاء مغناطیسی به روش حجم محدود برای محاسبه میدان مغناطیسی ...

بر مبنای فرضیه تغییرات خودپذیری مغناطیسی(k) سنگها در اثر حرارت و دگرسانی ژئوشیمیایی حاصل از عمل گرمابها در منطقه اکتشافی سرعین،اندازه گیریهای تفصیلی میدان مغناطیسی در منطقه ای به وسعت 16 کیلومتر مربع صورت گرفته است. بر اساس نقشه مغناطیسی بدست آمده،دوبی هنجاری با افت مشخص میدان نسبت به میدان مغناطیسی زمینه منطقه مشخص گردیده است. پس از تعیین عمق تقریبی منابع دوبی هنجاری،نقاطی برای حفر گمانه های ا...

لایه های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...