در این تحقیق تأثیر افزودنی های اکسیدیِ لانتانیم و نئودیم بر ریزساختار و خواص الکتریکی پیزوالکتریک های محلول جامد تیتانات زیرکونات سرب با ترکیب در محدوده ی مرز مورفوتروپیک بررسی شده است. برای این منظور، اکسید لانتانید به مقدار صفر تا ۳ درصد مولی به ترکیب پایه ی $p b_{1.1}(z r_{0.53}t i_{0/47}) o_3$ اضافه شده که روش ساخت آنها طبق روش معمول ساخت سرامیک ها است. مشاهده شده است که افزودن ۲٪ مولی از اف...

در این تحقیق تأثیر افزودنی‌های اکسیدیِ لانتانیم و نئودیم بر ریزساختار و خواص الکتریکی پیزوالکتریک‌های محلول جامد تیتانات زیرکونات سرب با ترکیب در محدوده‌ی مرز مورفوتروپیک بررسی شده است. برای این منظور، اکسید لانتانید به مقدار صفر تا ۳ درصد مولی به ترکیب پایه‌ی $P‌b_{1.1}(Z‌r_{0.53}T‌i_{0/47}) O_3$ اضافه شده که روش ساخت آنها طبق روش معمول ساخت سرامیک‌ها است. مشاهده شده است که افزودن ۲٪ مولی از اف...

در این تحقیق تأثیر افزودنی های اکسیدیِ لانتانیم و نئودیم بر ریزساختار و خواص الکتریکی پیزوالکتریک های محلول جامد تیتانات زیرکونات سرب با ترکیب در محدوده ی مرز مورفوتروپیک بررسی شده است. برای این منظور، اکسید لانتانید به مقدار صفر تا ۳ درصد مولی به ترکیب پایه ی $p b_{1.1}(z r_{0.53}t i_{0/47}) o_3$ اضافه شده که روش ساخت آنها طبق روش معمول ساخت سرامیک ها است. مشاهده شده است که افزودن ۲٪ مولی از اف...

در این تحقیق تأثیر افزودنی‌های اکسیدیِ لانتانیم و نئودیم بر ریزساختار و خواص الکتریکی پیزوالکتریک‌های محلول جامد تیتانات زیرکونات سرب با ترکیب در محدوده‌ی مرز مورفوتروپیک بررسی شده است. برای این منظور، اکسید لانتانید به مقدار صفر تا ۳ درصد مولی به ترکیب پایه‌ی $P‌b_{1.1}(Z‌r_{0.53}T‌i_{0/47}) O_3$ اضافه شده که روش ساخت آنها طبق روش معمول ساخت سرامیک‌ها است. مشاهده شده است که افزودن ۲٪ مولی از اف...

در این تحقیق تأثیر افزودنی‌های اکسیدیِ لانتانیم و نئودیم بر ریزساختار و خواص الکتریکی پیزوالکتریک‌های محلول جامد تیتانات زیرکونات سرب با ترکیب در محدوده‌ی مرز مورفوتروپیک بررسی شده است. برای این منظور، اکسید لانتانید به مقدار صفر تا ۳ درصد مولی به ترکیب پایه‌ی $P‌b_{1.1}(Z‌r_{0.53}T‌i_{0/47}) O_3$ اضافه شده که روش ساخت آنها طبق روش معمول ساخت سرامیک‌ها است. مشاهده شده است که افزودن ۲٪ مولی از اف...

در این پروژه ، نانوساختارهای لانتانیم هیدروکسید (la(oh)3) و لانتانیم اکسید (la2o3)، با استفاده از روش سونوشیمی، تهیه شده اند و اثر انواع پارامترهای موثر در این روش شامل : زمان التراسوند، غلظت انواع پیش ماده ها، سرعت اضافه کردن پیش ماده ها، اثر انواع سورفکتانت ها در غلظت های مختلف، اثر انواع حلال ها و اثر دما های مختلف کلسینه، روی اندازه و مورفولوژی نانوساختارها بررسی شد. نتایج حاصله نشان می دهد...

با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوک...