در این پایان نامه نخست به معرفی نانو ساختارها پرداخته و آنگاه ویژگیهای فیزیکی برخی از آنها بررسی شده است. ترازهای انرژی الکترون در نقطه کوانتومی مکعبی تحت تأثیر میدان الکتریکی خارجی محاسبه شده و بر حسب شار ترسیم شده است. قطبش پذیری بر حسب زاویه اعمال میدان خارجی نیز محاسبه و بازاء ابعاد مختلف نقطه کوانتومی ترسیم گردیده است. با استفاده از تغییر متغیر مناسب تأثیر میدان با قطبش بیضوی بر خواص خطی...

انرژی بستگی ناخالصی هیدروژن گونه واقع در مرکز یک نقطه کوانتومی بیضوی با استفاده از تقریب جرم موثر و یک تبدیل مختصات مناسب برای ساختار cds/sio2 محاسبه شده است. تحت تاثیر ناخالصی، محیط اطراف قطبیده می گردد. بنابراین اثرات بارهای قطبشی سطحی و پتانسیل خود قطبشی ناشی از حضور ناخالصی بر انرژی بستگی بررسی شده است. نتایج بیانگر وابستگی انرژی بستگی نه تنها به بارهای قطبشی بلکه به ثابت بیضوی نیز می باشد.

در این تحقیق اثر میدان الکتریکی یکنواخت را روی انرژی حالت پایه نقاط کوانتومی کروی gaas/alas با استفاده از مدل پتانسیل نامحدود مورد مطالعه قرار داده ایم. برای میدان های الکتریکی قوی، تغییرات انرژی حالت پایه اثر اشتارک تقریباً به طور خطی با ازدیاد میدان الکتریکی افزایش می یابد . در حضور میدان های الکتریکی ضعیف برای محاسبه انرژی بستگی بهنجار از روش اختلالی در تقریب جرم مؤثر استفاده نمودیم. این انرژ...

در این پایان نامه تأثیر ناخالصی بر ویژگی های فیزیکی نقاط کوانتومی بررسی شده است. سیستم مورد نظر را به صورت سه نقطه کوانتومی استوانه ای مشابه در نظر گرفته و در ابتدا انرژی حامل ها و سپس انرژی را در حضور ناخالصی هیدروژن گونه محاسبه کرده و انرژی بستگی را بدست آورده ایم. انرژی بستگی به ازای مکان های مختلف ناخالصی و ابعاد گوناگون نقاط کوانتومی محاسبه شده است. در قسمت بعد انرژی بستگی را درحضور میدا...

در این مقاله, طول جایگزیدگی الکترون برای یک زنجیر یک بعدی, با توزیع انرژی کاتوره ای برای آلیاژ دوتایی در تقریب بستگی قوی به صورت عددی محاسبه شده و نشان داده شده است که برای یک زنجیره یک بعدی با طول محدود, با افزایش تراکم ناخالصی طول جایگزیدگی کاهش می یابد و با افزایش بیشتر آن, طول جایگزیدگی از طول سیستم کوچکتر شده وگذار فاز فلز - عایق رخ می دهد. همچنین نشان داده شده است که اگر توزیع ناخالصی دار...

پیشرفت¬های روز افزون در تکنولوژی ساخت مواد نیم¬رسانای کم¬بعد و نیز ویژگی¬های منحصر¬به¬فرد این ساختار¬ها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت¬های بالا از جمله لیزر¬های مادون قرمز، تقویت¬کننده¬ها و آشکارساز¬های فوتونی شده¬است. در این میان ساختار¬های نقطه¬کوانتومی به دلیل محبوسیت سه بعدی حاملین بار و سطوح الکترونیکی کاملاً گسسته کاندیدای اصلی برای مطالعات بنیادین می¬باشند، علاوه ب...

در این پایان نامه با استفاده از روش ماتریس انتقال و در رهیافت بستگی قوی به محاسبه رسانش برخی بسپارهای همیوغ متصل به دو هادی فلزی پرداخته¬ایم. از روش¬ بازبهنجارش برای کاهش مرتبه¬ی هامیلتونی سامانه وافزایش سرعت محاسبات بهره جسته¬ایم. نتایج نشان می¬دهد که رسانش الکترونی بسپار پلی¬استیلن به عواملی مانند طول زنجیره، زوج یا فرد بودن تعداد اتم¬های زنجیره، قدرت دوپارش، قدرت اتصال بسپار به هادی¬های فلزی...