نیمه رساناهای مرکب که ازعناصر ستونهای مختلف جدول تناوبی بدست میآیند (شامل ترکیبات iii-v، ii-vi, iv-vi و iv-iv)دارای خواص مطلوبی هستند. یکی از ترکیبات گروه 3و5،gan است که پهنای باند آن 4/3 الکترون- ولت است که باعث میشوداین ماده خصوصیات خاصی برای کاربردهایی دراپتوالکترونیک وابزارهایی باتوان و فرکانس بالا داشته باشد.از طرفی نیتریدهای گروه 3، مواد بسیار مهمی برای کاربرد در اپتوالکترونیک هستند. این ...

نانو سیم های نیترید گالیوم در سه بعد دارای خواص پیزو الکتریک می باشد تائید قطبیت پیزوالکتریک روی افت پتانسیل ممکن است عامل مهمی باشد به این شکل که وقتی قطبیت پیزو الکتریک کاهش مییابد افت پتانسیل ساختار کوانتوم ول گالیم نترات بسیار بیشتر می شود میدان پیز و الکتریکی در نانو وایرهای کوانتومی گالیم نیترات نقش مهمی درانتشار نورنیتریدی دیود ها و لیزرها ایجاد می شود .که درطول موج قودرت نوسان گر و طول ...

هدف ما در این تحقیق مطالعه رسانندگی گرمایی نیمرساناهای gan و zno بر حسب تابعی از دما است. این نیمرساناها که از گاف نواری مستقیم پهن برخوردارند، در دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی در شرایط توان بالا و دمای بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. عوامل گوناگونی می توانند در بزرگی رسانندگی گرمایی یک ماده موثر باشند که برخی از آنها به خواص ذاتی ماده و برخی متأثر از عوامل غیر ذاتی نظیر دررفتگی ه...

مشخصات کارایی لیزر دیودهای چاه کوانتومی دوتایی In0.082Ga0.918N/GaN تابش کننده در ناحیه بنفش دور با استفاده از نرم افزار ISE-TCAD بطور عددی مورد مطالعه قرار گرفت. در این مطالعه نقش میزان آلومینیوم در ماده تشکیل دهنده و ضخامت لایه های کلدینگ AlGaN بر روی مشخصات کارایی مختلف از قبیل توان خروجی، جریان آستانه، شیب کارایی، کارایی کوانتومی خارجی (DQE)، و شدت اپتیکی این لیزر دیوده...

با توجه به اهمیت مواد ایندیوم گالیوم نیترید و خصوصا کاربرد وسیع آنها در ساختارهای نورتاب، در این تحقیق، به مطالعه مواد ایندیوم گالیوم نیترید و بررسی ساختارهای نورتاب ( لیزر دیودها و دیودهای نورتاب ) با پایه ایندیوم گالیوم نیترید پرداخته ایم. به این منظور، سعی شده ابتدا شناخت و اطلاعاتی مفید از ماده، فرایندهای رشد و خواص آن فراهم آوریم و در ادامه با هدف شناخت، ساخت و افزایش کارایی، دیودهای نورتا...

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

در این پایان نامه ترکیب های فلزی جدید با استفاده از ترکیب های انتقال پروتون به عنوان لیگاند و یون فلز های آلومینیوم و گالیوم سنتز شده و توسط تکنیک های ir، mass، nmr و تجزیه عنصری مورد شناسایی کامل قرار گرفته اند. نظر به اینکه عمده کار مبنی بر بررسی ساختاری ترکیب های سنتز شده است، کریستال مناسب رشد داده شده و ساختارها به روش x-ray کریستالوگرافی مورد بررسی قرار گرفته است. از واکنش بین ga(no3)3.5h...

در این پایان نامه به بررسی سلول خورشیدی inxga1-xnدر ضرایب مولی مختلف پرداخته شده است. از نرم افزار شبیه ساز silvaco tcad برای شبیه سازی سلول خورشیدی استفاده شده است. در ابتدا مشخصات فیزیکی سلول های خورشیدی ,in0.2gan,in0.68gan ,in0.57ganin0.78gan از قبیل ضخامت و میزان آلایش مورد بررسی قرار گرفته و بهترین ضخامت و آلایش برای آن بدست می آید. سپس سلول های خورشیدی تک پیوندی ,in0.2gan,in0.68gan ,in0.5...

در این پروژه ساختار نانو لوله های آرمچیر (4و4) و (5و5) و نانو لوله ی زیگزاگ (0و6) با دستور b3lyp/6-31g* بهینه شد.در بور نیترید های آرمچیر اتم گالیوم جایگزین b52 و در بور نیترید زیگزاگ جایگزین b42 شده است.جذب گاز نیتروژن در چهار موقعیت مختلف، جذب از بیرون نانو لوله با زاویه های 0 و 90 درجه و جذب از داخل نانو لوله با زاویه های 0 و 90 درجه روی بور نیترید آرمچیر(4و4) و زیگزاگ (0و6) در حالت خالص و ج...

روش ذوب قوسی با فرآیند تکمیلی آسیاب کاری برای ساخت نمونه های co2fega1+x(x=0,0/2)و fe2coga1به کار گرفته شد. تأثیر افزودن اتم های غیرمغناطیسی گالیوم بر نظم بلوری و ویژگی های مغناطیسی دو ترکیب هویسلر fe2coga و co2fegaو مطالعه شد. آنالیز رینولد نشان داد با آلایش ga و تغییر استوکیومتری نمونه ها پارامتر شبکه افزایش یافته است. نتایج حاکی از وجود بی نظمی های جزئی در ساختار نمونه 2/1 co2fegaاست. ورود اب...