کشف اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ (gmi) در فیلم‎ها و سیم‎های مغناطیسی نرم، افق جدیدی را در توسعه‎ی حسگرهای میکرومغناطیسی به فعالیت در آمده در محدوده‎ی نانو تسلا گشود. امپدانس مغناطیسی بزرگ یکی از نویدبخش‎ترین اثرات ترابرد مغناطیسی می‎باشد که بدلیل کاربردش درحسگرهای میدان مغناطیسی بسیار حساس، مهم است. اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ شامل تغییرات بزرگ در هر دو قسمت حقیقی و موهومی امپدانس، تحت اعمال میدان ...

اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...

بیشینه ی تغییر امپدانس الکتریکی یک ماده ی فرومغناطیسی نرم با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی بر آن را امپدانس مغناطیسی بزرگ 1 gmiمی گویند . روی این اثر به لحاظ تئوری و تجربی کارهای زیادی انجام شده است . از جمله موادی که روی آنها اثر gmi انجام شده است ، نوارها و سیم های آلیاژی ، چند لایه ای ها ، فیلم ها ، میکرو سیم ها ، میکرو تیوب ها ، ترکیب هایی به صورت آمورف و نانوبلوری انجام شد که هر کدام از آن...

لایه‌های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه‌های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...

لایه های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...

در این پروژه، حسگرهای gmi که با روش لایه نشانی آماده شده اند، مورد بررسی قرار گرفته اند، که در آن میکروتیوب های نیکل- آهن بوسیله لایه نشانی پالسی بر روی سیم مسی تهیه شده اند و با تغییر در زمان نهشت نمونه ها به بررسی تغییرات درصد امپدانس مغناطیسی بزرگ و خواص مغناطیسی نمونه ها و رابطه آنها با هم پرداخته شده است. بهترین پاسخ امپدانسی، افزایشی در حدود 50 درصد نسبت به دیگر نمونه ها نشان می دهد. این...

مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است....

اثر امپدانس مغناطیسی به صورت تغییرات امپدانس یک رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسیخارجی تعریف می شود. مطالعه و بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی آغاز شد. اثر امپدانس مغناطیسی در مواد مختلفی مشاهده شده است اما در این میان مواد نانوساختار به علت خواص غیر معمول مغناطیسی، الکتریکی و اپتیکی و همچنین تنوع در روش‏...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که د...

نتایج این پایان‏نامه نشان می‏د‏هد که هر چند آلیاژهای آمورف خام (بازپخت نشده) خود کاندید مناسبی برای اثر امپدانس مغناطیسی می‏باشند با بازپخت می‏توانیم خواص مغناطیسی مواد را اصلاح کرده به طوری که نرمی و نفوذپذیری مغناطیسی را افزایش، و تنگش مغناطیسی را کاهش داد و در آنها ساختار نانو و ناهمسانگردی مغناطیسی، القاء و ایجاد کرد. بازپخت در محیط هوا باعث اکسید شدن سطح نمونه و ایجاد نانوبلورک‏های سطحی می...