لایه‌های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه‌های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...

لایه های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنه...

نتایج این پایان‏نامه نشان می‏د‏هد که هر چند آلیاژهای آمورف خام (بازپخت نشده) خود کاندید مناسبی برای اثر امپدانس مغناطیسی می‏باشند با بازپخت می‏توانیم خواص مغناطیسی مواد را اصلاح کرده به طوری که نرمی و نفوذپذیری مغناطیسی را افزایش، و تنگش مغناطیسی را کاهش داد و در آنها ساختار نانو و ناهمسانگردی مغناطیسی، القاء و ایجاد کرد. بازپخت در محیط هوا باعث اکسید شدن سطح نمونه و ایجاد نانوبلورک‏های سطحی می...

مناسب ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست یابی به پاسخ امپدانسی مناسب تر به وسیله آلیاژهای آمورف، روش های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان نامه بازپخت میدانی-جریانی روی نمونه انجام گرفته است و اثر آن بر روی امپدانس مغناطیسی و نامتقارنی امپدانس(ami) بررسی شده است....

عدم تشخیص دقیق اشباع ترانسفورماتور‌های جریان ممکن است باعث عملکرد نادرست سیستم‎های حفاظتی گردد. با توجه به مشخصه غیرخطی و تلفاتی هسته ترانسفورماتورهای جریان، بکارگیری روشی عددی به منظور تشخیص و جبران ورود نقطه کار جریان عبوری از آن به ناحیه اشباع امری ضروری است. لذا در این مقاله روشی جدید مبتنی بر محاسبه امپدانس شاخه مغناطیسی برای تشخیص اشباع و جبران ترانسفورماتور جریان ارائه گردیده است. در روش...

در این مقاله، به‌منظور بهبود عملکرد آنتن‌های ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد می‌شود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادی‌های مغناطیسی مصنوعی شناخته می‌شوند. هادی مغناطیسی طراحی‌شده، شامل آرایه‌ای از سطوح انتخابگر فرکانسی JC-FSS است که با چهار پایة رسانا به صفحة زمین متصل می‌شود. کلیة قطعات رسانای آن از جنس آلومینیوم و دی‌الکتریکی از نوع آرلون ای‌دی 270)(Arlon AD 270است که فضا...

در این مقاله، به منظور بهبود عملکرد آنتن های ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد می شود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادی های مغناطیسی مصنوعی شناخته می شوند. هادی مغناطیسی طراحی شده، شامل آرایه ای از سطوح انتخابگر فرکانسی jc-fss است که با چهار پایه رسانا به صفحه زمین متصل می شود. کلیه قطعات رسانای آن از جنس آلومینیوم و دی الکتریکی از نوع آرلون ای دی 270)(arlon ad 270است که فضا...

کشف اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ (gmi) در فیلم‎ها و سیم‎های مغناطیسی نرم، افق جدیدی را در توسعه‎ی حسگرهای میکرومغناطیسی به فعالیت در آمده در محدوده‎ی نانو تسلا گشود. امپدانس مغناطیسی بزرگ یکی از نویدبخش‎ترین اثرات ترابرد مغناطیسی می‎باشد که بدلیل کاربردش درحسگرهای میدان مغناطیسی بسیار حساس، مهم است. اثر امپدانس مغناطیسی بزرگ شامل تغییرات بزرگ در هر دو قسمت حقیقی و موهومی امپدانس، تحت اعمال میدان ...

اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در ...

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi امروزه قابلیت خود را در عرصه های گوناگون فناوری نشان داده است. مناسب ترین مواد برای کار در اثر امپدانس مغناطیسی و حسگرهای امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانوبلورین هستند. بهینه سازی ویژگی های مغناطیسی آلیاژهای آمورف جهت دستیابی به پاسخ امپدانسی و حساسیت میدان مناسب به روش های گوناگونی امکان پذیر است؛ در...