آرایه نانو سیم های کبالت به روش الکترو نهشت شیمیایی متناوب در قالب آلومینای حفره دار ساخته شد‍ و تاثیر پارامترهای فرکانس الکترونهشت و ph الکترولیت در الکترو نهشت با ولتاژهای کاهش- اکسایش متقارن 18-18 و نامتقارن 18-12 ولت مورد مطالعه قرار گرفت. بررسی خواص مغناطیسی و میکروساختاری آرایه نانو سیم ها نشان داد که رابطه مستقیم بین مغناطش اشباع بر واحد سطح و وادارندگی و نسبت مربعی نمونه ها وجود دارد به...

چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...

در این تحقیق، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکترونهشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 16، 14، 12، 10 و 8 ولت نازک-سازی شد. اثر جریان های 10 و 20 میلی آمپر در ولتاژهای نازک سازی و زمان های خاموشی متفاوت بر درصد راندمان الکترونهشت، درصد پر شدگی حفره ها وکیفیت نانوسی...

نانوسیم‏ها ساختاری ‏یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سال‏های اخیر مورد توجه قرار گرفته‏ اند. در این میان، نانوسیم‏ های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظه‏های مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژه‏ای برخوردار هستند. بر این‏ اساس در این پروژه نانوسیم‏های مغناطیسی آهن در قالب آلومینای آندی توسط روش الکترونهشت پالسی ساخته شده‏ اند...

با توجه به اهمیت و کاربردهای ویژه نانوسیم های آلیاژی مغناطیس-غیرمغناطیس در افزایش ذخیره ی اطلاعات حافظه های مغناطیسی عمودی و هم چنین در پدیده gmr، اقدام به ساخت آرایه نانوسیم های مغناطیسی cozn در قالب حفره دار آلومینا کردیم. در این روش، ابتدا نانوحفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر، با روش آندایز دومرحله ای ساخته شدند. سپس نانوسیم های cozn به روش الک...

با توجه به قابلیت کاربرد نانوسیم ها در محیط های ثبت مغناطیسی چگالی بالا و gmr و با توجه اینکه اضافه کردن یک ماده غیر مغناطیسی به ماده مغناطیسی می تواند روش خوبی در کاهش برهمکنش های مغناطواستاتیک باشد تصمیم به ساخت نانوسیم های fezn گرفتیم. ساخت نانوسیم ها در دو مرحله انجام شد. در مرحله اول قالب آلومینا توسط آندیزاسیون دو مرحله ای ساخته شد و سپس یون های fe و zn با روش الکترونهشت پالسی ac در نانو...

در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...

چکیده در کار حاضر ساختار¬های zno به روش الکترونهشت بر روی زیرلایه¬های , si(111) fto و cu در زمان¬های نهشت مختلف رشد داده شدند. عملیات حرارتی (بازپخت) در دما¬های مختلف 200، 400 و oc600 انجام شد. ویژگی¬های ساختاری، اپتیکی، نورتابی و ریختی (مرفولوژی) ساختار¬های zno رشد یافته مورد مطالعه قرار گرفت. بلورینگی نمونه¬ها با زمان نهشت و بازپخت تغییری نمی¬کند تنها کیفیت بلوری نمونه¬ها متاثر می¬شود. در ح...

نانوسیم های مغناطیسی آلیاژی در سال های اخیر، بواسطه ی خواص gmr فوق العاده ای که در چند لایه های مغناطیسی / غیر مغناطیسی از خود نشان می دهند، به طور گسترده مورد تحقیق واقع شده اند. به-منظور بهینه سازی شرایط الکترو انباشت برای ساخت و آماده سازی چند لایه های مغناطیسی /غیرمغناطیسی، اثر شرایط الکتروانباشت پالسی روی کاهش مغناطش نانوسیم های آلیاژی fecocu در غلظت های مختلف cu مورد بررسی و مطالعه قرار د...

در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های کبالت به روش الکترونهشت پالسی مستقیم در داخل نانو حفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شد. برای فراهم آمدن شرایط نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته های مختلف 4، 5/4، 75/4، 5، 25/5، 5/5 و 6 و در زم...