در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (r-d)، مدل هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (nbti) در یک mosfet سه گیتی کانال p و پدیده تزریق حامل های پرانرژی (hci) در یک افزاره finfet سه گیتی توده کانال n ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می شود. نتایج به دست آمده در مقاله ب...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

با پیشرفت تکنولوژی در دهه های اخیر و افزایش اهمیت مدارهای آنالوگ در سیستم های فرستنده-گیرنده مخابراتی، توجه بسیاری از محققین به طراحی سیستم های آنالوگ جلب شده است. امروزه کاربردهای پیشرفته ای برای فرستنده-گیرنده های مخابراتی تعریف شده است که این کاربردها زمینه های تحقیقاتی جدیدی را در دنیا به وجود آورده است. از جمله این کاربردها می توان به شبکه حسگرهای بی سیم و سیستم های شناسه گر فرکانس رادیویی...

در این مقاله مشخصه های ایستا و پویای لیزرهای نقطه کوانتومی و لیزرهای کوانتومی آبشاری با استفاده از الگوی استاندارد معادلات آهنگ توصیف شده و نتایج بصورت تطبیقی تحلیل شده اند. با استفاده از الگوی ارائه شده، تاثیر طول عمر فوتون بر مشخصه های خروجی هر دو افزاره بررسی شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند لیزرهای کوانتومی آبشاری، به دلیل ماهیت فوق سریع گذارهای درون نواری که عمدتاً از نوع تابش فونون...

در این رساله، مدل تحلیلی برای افزاره npt-igbt ، که یکی از انواع پرکاربرد کلیدهای نیمه هادی قدرت می باشند، ارائه می شود. این مدل که از حل معادلات نیمه هادی در ساختار سه بعدی بدست آمده است ، دقیقتر از مدلهای قبلی می باشد و انتظار می رود که نتایج تخمین زده شده توسط آن به نتایج آزمایش نزدیکتر باشد. با استفاده از روابط نهایی بدست آمده، مشخصه جریان - ولتاژ افزاره ترسیم می شود. سپس اثر تغییر پارامترها...

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

مهم ترین ویژگی کیهان شناسی مزدائی تقسیم هستی به دو مرتبه مینو و گیتی است. مینو مرتبه‌ای نادیدنی و فراحسی است که اهورا مزدا، امشاسپندان، ایزدان مینویی و گیتایی و نیز صور مینویی را که حقایق ازلی موجودات این جهانند، در بر می گیرد و در برابر آن گیتی، است که مرتبه ای مادی، قابل مشاهده و موضوع حواس است و جهان مادی و همه موجودات این جهان را شامل می شود در اوستا این دو مرتبه هستی در عین حفظ هویت خود، ب...

در این پژوهش طراحی و مدلسازی اتمی سوئیچ الکترومکانیکی لغزشی چند حالته مبتنی بر نانو نوار گرفاینی آلفا دولایه با بهره گیری از نظریه تابعی چگالی و ترکیب آن با تابع گرین غیرتعادلی ارائه میشود. ساختار سوئیچ پیشنهادی به صورتی است که لایه گرفاین زیرین ثابت و لایه بالایی آن متحرک است. چینشهای متمایز از طریق حرکت لایه بالایی نسبت به لایه پایینی در راستای محور افقی و با فواصل جابجایی 9.44Å ، 8.41 Å، 3.9...