نتایج جستجو برای: افزاره سیلیسیم تحت تنش بر روی عایق
تعداد نتایج: 567057 فیلتر نتایج به سال:
ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق یکی از پر کاربرد ترین افزاره هاست. این فن آوری برای غلبه بر اثرات کانال کوتاه و کاهش جریان نشتی و کاهش خازنهای پارازیتی نقش مفیدی ایفا کرده است. همچنین با توجه به اهمیت کاربردهای ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق در طراحی مدارهای مجتمع rfبرای کاربردهای رادیویی و مخابراتی، ماهواره ها و سیستمهای بی سیم ، بهبود ساختار این افزاره ها مورد توجه اکید قرار گرفته ...
در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...
کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...
در صنعت پالایشگاه و پتروشیمیها به دلیل وجود تجهیزات تمام فلزی محیط اسیدی خوردگیتنشی زیاد است با توجه افزایش کاربرد فولادهای زنگ نزن این صنایع پژوهش بررسی اثر ضربات امواج اولتراسونیک بر رفتار خوردگی فولاد 316 (S.S 316) میپردازیم. هدف از تأثیر روش تنشزدایی برافزایش مقاومت قطعات محیطهای خورنده است. لازم ذکر که، تنش پسمان نمونهها جوشکاری ایجادشده ابتدا نمونه مدنظر استفاده ارتعاش تحت فرکانس 20...
درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...
در افزاره های سیلیکن بر روی عایق به خاطر وجود لایه ی اکسید مدفون شده خازن های پارازیتیکی کاهش یافته اند و این موضوع باعث بالاتر بودن سرعت این ساختار نسبت به ماسفت توده شده است. با تغییر ساختار کانال این نوع افزاره ها و اعمال تنش که منجر به افزایش موبیلیتی حامل ها می گردد می توان افزاره ی سیلیکن بر روی عایق با کانال مهندسی شده را به عنوان ساختاری مناسب برای کاربرد های سرعت بالا در روند پیش رو بر...
امروزه با پیشرفت چشمگیر تکنولوژی، کوچک¬سازی افزاره¬ها به عنوان یکی از نیاز¬های اساسی برای مدارات آنالوگ و دیجیتال مطرح است. اما با کوچک¬سازی افزاره¬ها، مشکلات بحرانی در عملکرد الکتریکی و حرارتی افزاره¬ها بروز می¬نماید که برای حل آن نیاز به ارائه راهکارها و ساختارهای نوین است. این رساله روش¬های موثری برای بهبود اثرات کانال کوتاه، بهبود اثرات بدنه شناور و بهبود اثر خودگرما ارائه می¬کند. برای کاهش...
آلیاژهای منیزیم معمولاً دارای عدم تقارن تسلیم در حالت کشش و فشار هستند که این عامل ناشی از سازوکارهای مختلف تغییر شکل پلاستیک فعال تحت بارگذاریهای کششی فشاری است. مقاله بر روی شبیهسازی المان حجمی نمایندهی سهبعدی آلیاژ اکسترود شده تمرکز دارد تا با کمک روابط کریستال پلاستیسیته تأثیر شدت بافت پایه ـ را بررسی کند. پلاستیسته مبتنیبر لغزش بهصورت یک زیربرنامه نرمافزار آباکوس (UMAT) برای آزمون...
هدف از این مطالعه بررسی اثر آب تهی شده دوتریم (DDW) در غلظتهای مشخص بر روی سلولهای 29HT- و 480SW- بود. ردههای سلولی محیط RPMI حاوی مختلف DDW به مدت 24، 48 72 ساعت کشت داده شدند سپس درصد بقای روش سنجش سمیت مبتنی برMTT تعیین شد. یافتهها نقش توأم کاهش افزایش زمان تیمار را مهار رشد اثبات رساند. کمترین میزان برای طی با غلظت ppm 30 ترتیب 23% 37% دست آمد. جهت اثرات جانبی دوتریم، طبیعی 12C2C نیز ت...
با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید