هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

هدف از پژوهش حاضر، بررسی اثر کرنش در رسانندگی اسپین وبار در ساختارgmr پایه گرافینی است.این ابزار، از سه لایه ساخته می شود، به این صورت که یک لایه گرافین کرنش درمیان دولایه ی گرافین مغناطیسی قرارداده می شود .ساختارهای موازی وپادموازی دو لایه ی فرومغناطیس موردتوجه قرارگرفته ورسانندگی بارواسپین دراین ساختار مورد مطالعه قرار گرفته است. یافته های این پژوهش نشان می دهد که برای تبادل انرژیهای معین با ...

این واقعیت که حالت های اسپین الکترون (به جای بار الکتریکی) بسیار کمتر حساس به نوفه های الکترومغناطیسی هستند، باعث آن شده است که امروزه تلاش وافری برای توسعه دستگاههای اسپینترونیکی (به جای الکترونیکی) به عمل آید. در این راستا دسته ای ازموادکه شامل فلزات و حتی نیمه هادی های آلی هستند برای استفاده در فناوری اسپینترونیک پیشنهاد شده است. یک کاندیدای مناسب برای چنین کاربردهایی، تک لایه ای از اتم های ...

در این اثر انتقال اسپین را در اتصالات گرافینی گرافین نورمال / گرافین فرومغناطیس / گرافین نورمال که یک الکترود به گرافین فرومغناطیس ضمیمه شده است مطالعه و بررسی می کنیم. سپس در می یابیم که یک میدان تبادلی از گرافین فرومغناطیس ناشی می شود و جریان اسپین در میان اتصال یک رفتار نوسانی دارد که با پتانسیل شیمیایی در گرافین فرومغناطیس رابطه دارد و قابلیت تنظیم با ولتاژ گیت را دارد. به طور خاص یک جریان...

از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار راشبا در سال 1990، تاکنون تلاش های زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماد? نیم رسانا صورت گرفته است که منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالع? خواص ترابرد بار و اسپین در حضور برهم کنش اسپین-مدار از اهمیت بنیادی و کاربردی زیادی برخوردار است. در این پایان نامه ض...

نقاط کوانتومی، نانو ساختارهای صفر بعدی با ابعاد نانومتری هستند. نقاط کوانتومی می توانند توسط روش هایی مانند روآراستی و لیتوگرافی ساخته شوند. از نقاط کوانتومی می توان به عنوان نانو ساختارهای مغناطیسی نیز برای اسپینترونیک استفاده کرد. در کار حاضر آرایه ای دو بعدی شامل سه رشته از نقاط کوانتومی به هم پیوسته را توسط یک فرآیند بازبهنجارش به یک زنجیره یک بعدی تبدیل می کنیم و سامانه ای متشکل از زنجیره ...

چکیده در این پژوهش رسانش وابسته به اسپین در سیستمی بر پایه نانورشته های گرافنی در چهارچوب فرمول بندی لانداورو با استفاده از هامیلتونی هابارد در تقریب میدان متوسط و رهیافت تابع گرین بررسی شده است. قسمت مرکزی در این سیستم یک نانوصفحه گرافنی لبه زیگزاگی است که به دو نانورشته گرافنی دسته صندلی به عنوان الکترودهای چپ و راست متصل می شود. این سیستم در غیاب میدان های خارجی به عنوان یک فیلتر کننده اس...

مزون از یک کوارک و یک پادکوارک تشکیل شده است که تحت تأثیر ترکیبی از پتانسیلهای نوسانی نگهدارنده و رنگ حرکت می ­ کنند. با توجه به اینکه کوارکها ذراتی با اسپین می­باشند لذا پتانسیل برهم­کنش اسپین ـ اسپین نیز وجود دارد. همچنین برای کوارکهای u و d ایزواسپین داریم . همچنین پتانسیلهای مربوط به اثر ایزواسپین ـ ایزواسپین و اثر اسپین ـ ایزواسپین را باید در نظر گرفت. با مقایسه طیف مزونهای به دست آمده با ...

در این مقاله اثر فضای ناجابه جایی بر معادله بته سالپیتر برای حالت مقید دو ذره بررسی شده است. در این بررسی حالات مقید دو ذره ای با ذرات اسپین -0 اسپین0, اسپین 2/1- اسپین 2/1 و اسپین 1/2- اسپین 0 در نظر گرفته شده است. در طیف انرژی, پایینترین تصحیح مستقل از اسپین در همه موارد از مرتبهθα4شروع می شود. در همین حال تصحیح وابسته به آسپین در فضای ناجابه جایی از مرتبهθα6می باشد.

در این مقاله به بررسی تأثیر پتانسیل تحدید کوانتومی روی خواص اپتیک خطی و غیرخطی یک سیم کوانتومی چند لایه در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا که هم‌زمان تحت تأثیر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. بدین منظور ابتدا با حل معادله‌ی شرودینگر، ویژه‌توابع و ویژه‌مقادیر انرژی سیستم در حضور برهمکنش اسپین- مدار و میدان‌های خارجی را محاسبه کرده و با روش‌های عددی ‌ویژه‌مقادیر و ویژه...