در این پایان نامه، ما مشخصه های دینامیکی و سیگنال کوچک و بزرگ لیزرهای نقطه کوانتومی را شبیه سازی می کنیم، با فرض این که درون نقطه کوانتومی فقط یک تک تراز پایه الکترون و حفره وجود دارد. دو مسئله مهم برای درک موفقیت آمیز از لیزرهای نقطه کوانتومی وجود دارد. اول نوسانات اندازه در مجموعه نقاط کوانتومی است که عمدتا باعث پهن شدگی غیرهمگنمی شود. برهم کنش حامل – حامل و حامل – فونون موجب پهن شدگی همگن ...

حامل هایی که به تراز پایه مستقیما تونل می زنند شیب منحنی نور- جریان را بهبود می بخشند. نتایج نشان می دهد که نوسان فرکانسی و پهنای مدولاسیون در لیزردهی از تراز برانگبخته و لیزردهی به کمک تونل زنی تزریقی در مقایسه با لیزردهی معمولی خیلی بیشتر است. در هر دو حالت لیزردهی از تراز برانگبخته و لیزردهی به کمک تونل زنی تابع پاسخ مدولاسیون تقریبا مستقل از دماست اما در حالت معمولی این تابع شدیدا به دما وا...

نقش مهم برهمکنش قوی الکترون – فونون را در ابررسانای دمای بالا با ارزیابی نتایج برخی آزمایشهای مهم, مانند پراکندگی ناکشسان نوترون و پرتوی x, طیف سنجی نوری با تفکیک زاویه ای, و اثر ایزوتوپ بررسی می نماییم. همچنین, نتایج محاسباتی خود از ویژه مقادیر و ویژه بردارهای مدهای ag رامان و وابستگی ساختار نوارهای الکترونی به تغییر مکان یونها را بر اساس نظریه تابعی چگالی عرضه می کنیم. به روشنی مشهود است که ن...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

هدف اصلی این پایان نامه بررسی اثر برهمکنش الکترون- فونون بر چگالی حالات نانو لوله کربنی زیگزاگ(0و10) میباشد. در فصل اول فناوری نانو معرفی شده است . در فصل دوم ساختار های کربنی شامل گرافیت ، الماس، نانو لوله و فولرن مورد بحث قرار گرفته اند. در فصل سوم به طور مشخص و مفصل به نانو لوله های کربنی که شامل سه نوع آرمیچر، زیگزاگ، و کایرال میباشند پرداخته شده است . در فصل چهارم نانو لوله های فلزی و نیمه...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

در این پژوهش، الکترونی را در نظر گرفته‌ایم که با یک فونون اپتیکی طولی در یک نقطه کوانتومی مثلثی با ناخالصی کولنی جفت شده است. ابتدا، ویژه مقادیر و ویژه توابع حالت پایه و حالت اولیه برانگیخته الکترون با روش وردشی محاسبه شده و سپس آنتروپی این کیوبیت نفطه کوانتومی برای مقادیر مختلفی از پارامتر ناخالصی کولنی، شعاع پولارون و قدرت جفت شدگی الکترون و فونون اپتیکی طولی بررسی شده است. تحلیل‌های عددی ‌نش...