در این مقاله یک بلوک مبدل سریال به موازی یک پردازنده FFT 8 نقطه‌ای با استفاده از تکنولوژیum CMOS 13/0 ارائه شده است. به‌دلیل مزیت‌های بسیار مدارهای حالت جریان نسبت به مدارهای حالت ولتاژ، در این طراحی سعی شده است که از این گونه مدارها استفاده شود. بنابراین در این بلوک ابتدا باید ولتاژ ورودی را به جریان تبدیل نمود و سپس برای موازی کردن نمونه‌ها از مدار نمونه‌بردار جریانی استفاده کرد. به منظور قرا...

در این مقاله، یک ساختار جدید برای آینه جریان معرفی شده است که ضمن ارائه پهنای باند فرکانسی وسیع، مقاومت بالایی را نیز در برابر تغییرات تصادفی پروسه ساخت و ناهمجوری ترانزیستورها از خود نشان می‌دهد. پاسخ فرکانسی و همچنین دقت و صحت انتقال جریان مدار پیشنهادشده با این دو مشخصهِ آینه جریان ساده مقایسه شده است. برای بررسی اثرات تغییر پارامترهای ناشی از فرایند ساخت و ناهمجوری ترانزیستورها از شبیه‌سازی ...

در این مقاله یک ناقل جریان نسل دوم (CCII) کلاس AB جدید مبتنی بر حلقه تراخطی با مقاومت ورودی بسیار پایین بر اساس تکنیک فیدبک جریانی مثبت ارائه شده است و عملکرد آن مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. برای اطمینان از عملکرد صحیح مدار و نتایج حاصله تأثیر تغییرات دما، ولتاژ آستانه، تغییرات W/L و همین‌طور تأثیر تغییرات VDD بر این ساختار توسط تحلیل مونت‌کارلو برای سی بار اجرا با خطای 3 % بررسی شده است که...

در این مقاله یک نوسان‌گر کنترل شده با ولتاژ توسط یک سه‌برابرکننده فرکانس ارائه شده است. هارمونیک دوم  فرکانس سیگنال (2fo)، مستقیماً برای مخلوط شدن با فرکانس اصلی ( استفاده می‌شود. در طراحی VCO  از یک آشکارساز و مقایسه‌کننده برای راه‌اندازی قوی نوسان‌ساز در کلاس AB  و انجام نوسان در کلاس C، برای دستیابی به نویز فاز مناسب با توان مصرفی بهینه استفاده شده‌است. فرکانس تولید شده VCO از GHz  5.93تا GHz...

این پایان نامه یک ضرب کننده ی آنالوگ چهارربعیِ کم توان با استفاده از دو بلوک مجذورساز جریان و یک تفریق کننده طراحی شده است. مدار مجذورساز جریانی با استفاده از حلقه های تراخطی ساخته شده که موجب می شود سیگنالِ خروجی مدار به دما و فرآیند ساخت غیر حساس باشد. در ساختار هر مجذورساز از طبقات خروجیِ کلاس ab که قابلیت ارائه ی نسبتِ تحریک جریان و رنج پویایی بالا و توان مصرفی و حساسیت پایین را دارا هستند استف...

تثبیت کننده های خطی ldo عموماً از بازده نسبتاً پایینی برخوردار می باشند. از طرفی، مبدل های مد سوئیچینگ دارای بازده به نسبت بالایی می باشند؛ اما زمان نشست طولانی تری نسبت به تثبیت کننده های خطی ldo دارند. ترکیب مناسب این دو ساختار می تواند منجر به بهبود بازده نسبت به تثبیت کننده خطی ldo و بهبود زمان نشست نسبت به مبدل های مد سوئیچینگ شود. به این منظور، ترکیب موازی یک تثبیت کننده خطی ldo کلاس ab و م...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

در این پایان نامه یک پایانه تحریک و ثبت برای ارتباط عصبی خارج سلولی طراحی و ساخته شده-است. این سیستم متشکل از یک مبدل دیجیتال به آنالوگ، یک آینه جریان با محدوده جریان خروجی وسیع و یک تقویت کننده عصبی می باشد. با استفاده از تکنولوژی cmos-0.18µm از شرکت tsmc مدارهای این پروژه شبیه سازی شده اند. برای بلوک مبدل دیجیتال به آنالوگ دو طرح جدید پیشنهاد شده است. در طرح اول یک مبدل دیجیتال به آنالوگ جدی...

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

فرض کنید g یک گروه باشد، a و bزیرگروههایی از آن و ??x?g. در این صورت دو زیرگروه a و x ،b -گردش پذیرند، اگر x شامل عنصری مانند x باشد به طوری که ab^x=b^x a. در این پایان نامه مشخصه هایی از کلاس گروههای حل پذیر، ابرحل پذیر و پوچ توان متناهی را بررسی می کنیم.