در این تحقیق ،لایه های نازک آلومینیوم اکسی نیترید بر روی زیر لایه هایی از جنس bk7 به روش کندوپاش مغناطیسی جریان متناوب انباشته شده اند. هدف از این مطالعات بررسی اثر نسبت گاز نیتروژن ، به عنوان گاز واکنشی و تاثیر دمای زیرآیند بر خواص اپتیکی، سختی، مرفولوژی سطح, آستانه تخریب لایه و پوشش های سطحی alon می باشد. نمونه های مهیا شده، بوسیله سیستم های میکروسکوپ الکترونی روبشی، edx، طیف سنج اپتیکی، سختی...

در این پژوهش ویسکرهای نیترید آلومینیوم (aln) در کوره لوله ای تحت جریان 500 گاز نیتروژن در دمای c˚1000 با یک ساعت ماندگاری در این دما تهیه شدند. مواد اولیه شامل آلومینیوم (al) با اندازه ذرات 3 میکرومتر و 45 میکرومتر و کلرید آمونیوم (nh4cl) بود. برای بررسی ویسکرهای نیترید آلومینیوم، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) و پراش اشعه x (xrd) به کار گرفته شدند. بررسی یافته ه...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (mu) که یکی از عوامل تاول­زا می ­باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله­ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه­ ی تابعی دانسیته(dft) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه­ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/lyp3b اجرا شد. فاصله ­های تعادلی، انرژی جذب، گشتاور دوقطبی، انرژی بالاترین اوربیتال مولکول...

چکیده نیترید آلومینیوم ضمن اینکه ازمقاومت به شوک حرارتی عالی برخوردار است، از نظر خواصی چون ثابت دی الکتریک (6/8) و استحکام دی الکتریک (kV/mm25-20) مشابه دیگر مواد سرامیکی است که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار گرفته اند. نیترید آلومینیوم نانوساختار  در بین نیمه هادی های سرامیکی بالاترین گاف انرژی(eV 2/6) را دارد. نیترید آلومینیم به دلیل برخورداری از ویژگی های ذکر شده ، قابلیت فراوانی برای ...

برای یافتن حسگرهای حساس مناسب برای مولکول خردل (MU) که یکی از عوامل تاول‌زا می ‌باشد، در این پژوهش رفتار جذب مولکول خردل بر روی سطح خارجی نانولوله‌ های آلومینیوم ـ نیترید زیگزاگ (4،0)، (5،0) و (6،0) با استفاده از روش نظریه‌ ی تابعی دانسیته(DFT) مورد مطالعه قرار گرفت. بهینه‌ سازی ساختاری در سطح نظری**311-6/...

در این پژوهش، با استفاده از آسیاب سیاره‌ای، کامپوزیت‌های زمینه آلومینیومی با فاز تقویت‌کننده نیترید آلومینیوم بوسیله روش فعال‌سازی مکانیکی تولید شدند. بررسی تغییرات ساختاری سیستم آلومینیوم- 5/2 درصد وزنی نیترید آلومینیوم در حین فعال‌سازی مکانیکی مورد بررسی قرار گرفت. پودر آلومینیوم یک بار با 1 میکرومتر AlN و بار دیگر با نیترید آلومینیوم µm 50 به همراه اسید استئاریک مخلوط شد. نمونه‌ها در مدت زما...

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...