برای سیستم برهمکنشی از الکترونها و فونونها، هامیلتونی می تواند بصورت h = he + hph + he-ph توصیف شود. که he هامیلتونی برای الکترونهای در حال حرکت در حضور هسته های ثابت است، و hph هامیلتونی برای هسته های متحرک می باشد، که کوانتش توصیف کننده جابه جایی هسته ها«یونها» را فونون می نامند. قسمت he-ph جمله برهمکنشی بین الکترونها و فونونها را توصیف می کند. دیواره های کوانتومی نیمرسانا، ساختارهای جدیدی ...

فونون را می¬توان به عنوان کوانتوم امواج کشسانی (مکانیکی) حاصل از ارتعاشات اتم¬¬ها در جامدات تعریف کرد. به طور مشابه می¬توان فونون را به عنوان بسته موج متحرک در نظر گرفت که دارای خصوصیاتی مشابه یک فوتون (یعنی کوانتوم نوسانات الکترومغناطیسی) است. اندرکنش-های مرتبط با فونون¬ها نقش مهمی در خصوصیات فیزیکی جامدات بلورین و نیم¬رساناها دارد که نهایتاً بر کارآیی دستگاه¬های مرتبط از جمله قطعات نوری تأثیر ...

امواج تراهرتز در طیف الکترومغناطیسی، از نظر فرکانسی در حد فاصل محدوده علم الکترونیک و اپتیک قرار می گیرد. به همین دلیل تا مدت ها این محدوده فرکانسی، به گپ تراهرتز معروف بود. اما امروزه تحقیقات گسترده¬ای بر روی این بازه از فرکانس ها انجام می گیرد تا از روش های مختلف بتوان به فرکانس و توان تراهرتز مورد نظر دست یافت. در این پایان نامه تولید امواج پیوسته تراهرتز به روش فوتومیکس تحلیل و شبیه سازی شد...

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونی...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیر لایه gaas نوع n به روش های الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. روش های الکتروانباشت و الکترولس هر دو به دلیل سادگی، انجام در شرایط متعارفی و نیز مقرون به صرفه بودن روش های مناسبی برای تولید لایه های نازک می باشند. در الکتروانباشت به منظور رشد لایه های مس بر زیرلایه gaas از تکنیک های پتانسیل ثابت و جریان ثابت استفاده شد و با استفاده از تصاویر sem شرایط منا...

هسته های سنگین به علت ناپایداری به صورت های مختلف تشعشع می کند، که اثرات سوء این پرتوها برای سلامتی انسان کاملا مشخص شده است. لذا آشکارسازی این پرتوها اهمیت زیادی دارد. gaas یک آشکارساز نیمرسانا می باشد، که مطالعه و بررسی آن اهمیت دارد.پس از انتخاب مناسب آشکارسازدر یک حوزه کاربردی، نوبت حفاظت این بلورها در مقابل اثرات زیان بار و مخرب این تابش ها می باشد. تا با توجه به مراحل و مشکلات مربوط به رش...

ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عملی برای غلبه بر ولتاژهای ناخواسته، استفاده از نیم رساناهای هوشمند برای محافظت از چنین سیستم هایی می باشد. این مقاومت ...

لیزرهای نیم رسانا از مهمترین ابزارهای کلیدی در مخابرات نوری به شمار می روند. پیشرفت های روز افزون در زمینه تکنولوژی ساخت لیزرهای نیم رسانا به خصوص در طول موج 3/1و 55/1 میکرومتر موجب توجه بیشتر به تحقیقات در این زمینه شده است. که در این طول موج ها اتلاف و پراکندگی در فیبر نوری کمترین میزان خود را دارد. رایج ترین ترکیبات مورد استفاده جهت گسیل طول موج های فوق ترکیبات-?? فسفر دار می باشند که تحت عن...