نتایج جستجو برای: : ترانزیستورlbjt

تعداد نتایج: 1  

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - پژوهشکده فنی و مهندسی 1390

در این رساله یک ساختار دوقطبی جانبی دوامیتری متقارن (sdelbjt) براساس فناوری soi طراحی شده است. این ترانزیستور دارای یک پایه دیگر به نام گیت است که با استفاده از آن می توانیم بهره جریان های متفاوت داشته باشیم، به این صورت که با اعمال ولتاژ به گیت عرض بیس آن تغییر می کند و باعث می شود برخورد حامل ها در بیس کمتر شده و راحتتر از امیتر به بیس بروند و در نتیجه بهره جریان تغییر می کند. شبیه سازی هایی ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید