روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...

سرامیک­های دی الکتریک به دلیل تنوع در ترکیب و داشتن ویژگی­های دی الکتریک منطبق با نیازمندی­های صنعت الکترونیک و ارتباطات بیسیم به­شدت مورد توجه واقع شده­اند. از جمله این سرامیک­ها، می­توان به کامپوزیت­های سرامیکی اشاره کرد که با ارائه ویژگی­های دی الکتریک مطلوب در محدوده فرکانس امواج مایکروویو و با داشتن یک فاز سرامیکی دی الکتریک و یک فاز شیشه به­عنوان کمک­زینتر در فناوری پخت همزمان کم­دمای سرا...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در سال های اخیر، با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ثابت دی الکتریک زیاد به شدت رو به افزایش است. در کاربردهای عملی، این مواد عمدتاً به شکل کامپوزیت های پلیمری حاوی انواع پرکننده های سرامیکی و رسانای فلزی و غیرفلزی طراحی و استفاده می شوند. هر گونه ای از این پرکننده ها با سازوکار مشخصی خواص دی الکتریک کامپوزیت نهایی را بهبود می دهند. در این میان، استفاده از ذرات سرامیکی روش...

درجه بندی محصولات کشاورزی همواره موضوع تحقیق دانشمندان بوده است. یکی از زمینه های مورد مطالعه درجه بندی میوه براساس میزان رسیدگی آن است. روش های مختلفی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه به کار گرفته شده است که بعضی از این روش ها مخرب و برخی دیگر غیر مخرب هستند. در این تحقیق از روش غیرمخرب خازنی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه ی موز استفاده شده است. رابطه میزان رسیدگی با ثابت دی الکتریک میوه در بسامد یک...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

به منظور بررسی اثرات محیط دی الکتریک پاشنده و جاذب و همچنین خمیدگی فضای فیزیکی بر خواص حالت های کوانتومی فرودی، روابط کوانتش امواج الکترومغناطیسی مبتنی بر رویکرد پدیده شناختی را برای به دست آوردن روابط کوانتومی ورودی- خروجی بین تابش ها در دو طرف تیغه دی الکتریک به کار می بریم. با استفاده از این روابط، همانندی، توابع ویگنر و همچنین همبستگی کوانتومی حالت های خروجی از دی الکتریک را برای وضعیتی که ...

شبیه ­سازی یک بعدی پلاسمای تخلیه ­ی سد دی­ الکتریک صفحه ­ای با استفاده از نرم­ افزار کامسول انجام شد. تأثیر ضخامت و ضریب دی ­الکتریک، ولتاژ و بسامد اعمال­ شده به الکترودها بر تغییرات دما و چگالی الکترون مورد مطالعه قرار گرفت. نتیجه­ های به دست آمده نشان داد که افزایش ولتاژ، بسامد، ضریب گسیل الکترون ثانویه ­ی الکترود و ضریب دی­ الکتریک باعث افزایش چگالی الکترون می­ شود درحالی که افزایش ضخامت دی­...

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...