نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است . در این پایان نامه، در فصل اول و دوم به طوراجمالی به معرفی خواص عمومی نیمرساناها به خصوص اکسید روی (zno) و نیمرسانای مغناطیسی رقیق بر پایه اکسید روی پرداخته شده است . این ترک...

در این پایان نامه خواصالکترونیکی و اپتیکی ترکیب ch3ch(nh2)cooh در حالت خالص و اثر جانشانی اتم f با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. محاسبات به روش امواج تخت تقویت شده خطی (fl-lapw)در چارچوب نظریه تابعی چگالی(dft) با تقریب شیب تعمیم یافته (gga)انجام شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، چگالی حالتهای کلی و چگالی ابرالکترونی محاسبه و اثر جانشانی اتم f درگروه متیل بر ساختار خوا...

در این پایان نامه، خصوصیات ساختاری و الکترونی ترکیب inp در سه فاز بلندروی(zb)، نمک طعام(rs) و وورتسایت مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریـه ی تابعی چگالی با کد pwscf مورد مطالعه قرار گرفته است. ثابت های شبکه که در محاسبات به کار رفته-اند برای ساختار zb برابر با 86/5=a، برای ساختار rs برابر با 204/5= a و برای ساختار وورتسایت برابر با 015/4=b...

در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی بلور cdte در دو فاز مکعبی و هگزاگونال و بلور cds در فاز هگزاگونال با استفاده از اصول اولیه و روش تابعی چگالی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده یک گاف نواری مستقیم در امتداد در منطقه اول بریلوئن به اندازه ev 6/0 برای فاز مکعبی بلور cdte وev 8/0 برای فاز هگزاگونال بلور cdte وev 2/1 برای هگزاگونال بلور cds را نشان می دهد. در فاز مکعبی بلور cdte مشاهده می شود ...

در این پایان نامه خواص الکترونیکی، فونونی و ترموالکتریکی ترکیبات (r=gd, tb, dy)rmno3 با استفاده از محاسبات اصول اولیه مطالعه شده است. خواص الکترونیکی شامل: ساختار نواری، گاف انرژی و چگالی حالت ها با تقریب های gga،lda+u و gga+uدر چهارچوب نظریه تابعی چگالی (dft) انجام شده است. با مقایسه مقادیر گاف نواری اسپین بالا و پایین به این نتیجه می-رسیم که این ترکیبات در حالت اسپین بالا با داشتن گاف نواری ک...

در این پایان نامه، اثر نقص استون- والز بر ویژگی های ساختاری و الکترونی نانولوله های bc3-(4،0) مورد مطالعه قرار گرفت. چهار نوع نقص استون- والز در این نانولوله ها امکان پذیر است که به صورت sw-cc-a، sw-cc-c، sw-cc-c، sw-bc-a و sw-bc-c نمایش داده شده است. انرژی تشکیل نقص در نانولوله های bc3 در مقایسه با نانولوله های کربنی کمتر است. این امر نشان می دهد که در این نانولوله ها احتمال بیشتری برای تشکیل ...

بررسی خواص اپتیکی مواد از دیر باز مرد توجه دانشمندان بوده است. این ره یافت اطلاعات دقیقی را در مورد ساختار نواری و خواص الکتریکی آنها در اختیار ما قرار می دهد. در این میان خواص اپتیکی فلزات از اهمیت ویژه ای برخوردار بوده است. در میان تئوری های مختلف تئوری تابع چگالی توصیفی بهتر و دقیق تر از ویژگی های سیستم در اختیار ما قرار می دهد تا جای که انحراف از مقادیر تجربی را به کمتر از چند درصد کاهش می ...

در سال های اخیر ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی به دلیل خواص منحصر به فردی که در مواد دیگر قابل مشاهده نیست توجه بسیاری از محققان را به خود جلب کرده اند. از این جهت این ساختار زیرمجموعه ای از فرا مواد است. فعالیت های تحقیقاتی گوناگونی بر روی این ساختارها در حال انجام است و کاربردهای گوناگونی برای این ساختارها ارائه شده است. از جمله آن می توان به کاربرد ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی ...

چکیده ندارد.

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...