ما در این پایان نامه براساس منطق ترانزیستور تک الکترون و با استفاده از ترانزیستور تک الکترون سه گیت مبتنی بر نقطه کوانتومی سیلیکنی 2 نانومتر قابل عملکرد در دمای اتاق، مداراتی را برای گیتهای منطقی buffer، not، xor، xnor، and، nand، or و nor طراحی کرده ایم و عملکرد هر یک از آنها را مورد بررسی قرار داده ایم. گیتهایی که عملکردی مکمل یکدیگر دارند، دارای ساختار مشترکی هستند و فقط مقادیر ولتاژهای بایا...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...

در این پایان نامه روش تحلیل و ساخت نوسان ساز rsg-mosfet مبتنی بر فناوری mos ارائه شده است. گیت در این ترانزیستور به صورت معلق روی کانال قرار دارد، و دو طرف آن مقید شده است. هدف نهایی از طراحی این افزاره، مجتمع کردن همه اجزا مورد نیاز مدار مجتمع، بر روی تراشه ای واحد است. ضریب کیفیت نوسان ساز rsg-mosfet در مقایسه با مدار lc، به مراتب بیشتر است. بنابراین نوسان ساز rsg-mosfet، را می توان به عنوان ...

با کوچک شدن روزافزون تکنولوژی و افزایش چگالی مدار های vlsi، اهمیت کاهش مصرف انرژی و توان در این مدار ها بیش از پیش به چشم می خورد. در بسیاری از وسایل، مصرف انرژی پایین به منظور افزایش طول عمر باتری در اولویت اول طراحی قرار می گیرد. یکی از گزینه های بسیار مناسب برای این موارد، مدارهایی هستند که در ناحیه زیرآستانه کار می کنند. با این وجود با پیشرفت تکنولوژی و اضافه شدن امکانات جانبی نیاز به کاهش ...

ساختارهای پریودیک به دلیل توانایی که در کنترل طول موج انتشار و در نتیجه مدیریت انتشار امواج الکترومغناطیسی بخصوص نور دارند، از مدت ها پیش مورد توجه دانشمندان قرار گرفته اند. کریستال های فوتونیکی دو بعدی از جمله این ساختارهای پریودیک می باشند که به دلیل وجود باند ممنوعه و با توجه به نمودار پاشندگی در نزدیکی لبه باند می توان سرعت گروه را کاهش داد. کاهش سرعت نور در ساختار کریستال فوتونیکی مانند یک...

در این رساله به طراحی، تحلیل، و شبیه سازی سوئیچ های نانوفوتونیک مبتنی بر برهمکنش میدان نزدیک نوری پرداخته ایم. دراینگونه افزاره ها، نقش انتقال بین نقاط کوانتومی برعهده برهمکنش اکسیتون با میدان نزدیک نوری است. ایفاگر نقش انتقال بین حالت های کوانتومی درون یک نقطه برهمکنش اکسیتون با حمام فونونی است. در این رساله، قدرت تزویج میدان نزدیک نوری بین دو نقطه کوانتومی محاسبه شده است. همچنین، برای محاسبه ...

چکیده یک مدار منطقی ترکیبی، یک شبکه سخت افزاری است که بر مبنای گیت های منطقی طراحی می شود و نیازهای توابع منطقی را برآورده می سازد. برای افزایش کارایی و کاهش هزینه مصرفی در تولید، معیارهای بهینه سازی مانند تعداد گیت و ترانزیستورهای مصرفی در نظر گرفته می شود. روش های مختلفی در این زمینه برای پیدا کردن نقاط کمینه در نظر گرفته شده است، که معروف ترین روش های بهینه سازی روش جدول کارنو و الگوریتم ...

اخیراً پردازش سیگنال تمام نوری با سرعت زیاد توجهات زیادی را به خود جلب کرده است. این امر برای غلبه بر محدودیت های پردازش سیگنال الکتریکی است. در حوزه مدارهای منطقی تمام نوری تحقیقات زیادی انجام شده و گیت های بولین نوری متعددی هم طراحی گردیده است. از میان طراحی های انجام شده گیت های منطقی که بر اساس soa طراحی و ساخته شده اند، بر سایر طراحی ها برتری دارند زیرا زمان تأخیر در پردازش آن ها کوتاه، سطح...

طراحی فیزیکی یکی از دو مرحله اصلی طراحی مدارهای کوانتومی است که نت لیست مدار را به عنوان ورودی دریافت کرده و چینش نهایی در یک تکنولوژی خاص را تولید می کند. به دلیل مشخصات مناسب تله یونی، در این پایان نامه این تکنولوژی به عنوان تکنولوژی هدف انتخاب شده است. روش هایی که تاکنون برای ایجاد چینش در تکنولوژی تله یونی ارائه شده اند محدود به قرار گرفتن حداکثر سه کیوبیت در یک مکان گیت می شوند در صورتی که...

چشم انداز برنامه‏ نویسی سیستم‏ های مولکولی برای اجرای عملیات و قدرت پردازش موازی مولکول‏ های دی.ان.ای، محققان را به سوی طراحی مدارهای بیوشیمیایی ترکیبی جذب کرده است. از آنجاکه ساخت رایانه‏ ای با قدرت پردازش موازی خواسته‏ ی این تکنولوژی بوده است، رایانه مولکولی نقطه عطفی در این مسیر محسوب می‏ گردد. در این تحقیق ابتدا یکی از پیشرفته‏ ترین مدل ‏های موجود، تشریح شده است. سپس، با استفاده از این مدل ...