هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

مقدمه: ریسرچ گیت یکی از نخستین شبکه های اجتماعی است که با هدف افزایش همکاری میان پژوهشگران و برقراری ارتباط بین آن ها و خوانندگان آثارشان راه اندازی شده است. پژوهش حاضر با هدف بررسی تعاملات و ارتباطات پژوهشگران دانشگاه علوم پزشکی اصفهان در شبکه ی اجتماعی ریسرچ گیت انجام شده است. روش بررسی: این پژوهش به صورت پیمایشی و با رویکرد آلتمتریکس انجام شده است. پس از بارگذاری داده ها از شبکه ی اجتماعی ری...

هدف از این مقاله، بررسی تاثیر پروتز مچ پنجه ویسکوالاستیک روی سیکل گیت فرد قطع عضو زیر زانو با استفاده از شبیه سازی دینامیکی راه رفتن انسان می باشد. مدلی دو بعدی و هفت سگمنتی به منظور شبیه سازی کل سیکل گیت فرد نرمال و فرد قطع عضو ارائه شده است که مجهز به مدل تقابل بین پا و زمین برای شبیه سازی کل سیکل گیت به صورت یکپارچه می باشد. در مرحله اول، شبیه سازی سیکل گیت فرد نرمال با ترکیب فرآیند بهینه سا...

در فصل اول به بررسی مطالب مربوط به شناخت نانولوله های کربنی و مفاهیم اولیه نانو لوله ها پرداخته شده است. در این بخش با انواع نانولوله ها و بردارهای پایه و باندهای الکتریکی نانولوله های کربنی آشنا شده و در ادامه انواع روش های ساخت از جمله روش به کار گرفته شده در این پایان نامه آورده شده در انتها خواص مختلف نانولوله ها و همچنین کاربرد آنها به عنوان انگیزه اصلی پایان نامه بیان شده است. در فصل دوم ...

چکیده ندارد.

کاربردهای فرکانس رادیویی توان بالا خیلی مهم هستند، زیرا تقاضا برای بازاربی سیم درحال رشــد می بـــاشد. ترانزیستورهای اثر میدان(نیمه هادی- اکسید- فلز)mosfet به دلیل سرعت سوئیچینگ بالا، در سیستم های توان بالا به کار رفته اند. توجه ی اولیه ی این پایان نامه کار روی توسعه، ساخت و توصیف مشخصات ترانزیستورهای توان بالا vertical-drain lateral diffused (vdmos) خواهد بود. چندین نوع از قطعات توان بــالا ه...

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های cmos مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال و تابع...

این پایان نامه به طراحی یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند می پردازد که در آن از تکینک حذف نویز پهن-باند با حداقل تعداد عناصر پسیو استفاده شده است. تحلیل دقیق نویز مدار نشان می دهد که نویز القایی گیت در باند uwb از اهمیت بیشتری نسبت به نویز حرارتی برخوردار است که مقایسه نتایج شبیه سازی و تحلیل تئوری این موضوع را به خوبی نشان می دهد. افزایش عملکرد خطی مدار با استفاده از تکنیک جمع آثار مشتقات برا...

در این پایان نامه به طراحی و شبیه سازی تقویت کننده ی کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی 3-5ghz با استفاده از تکنولوژی 0.18µm-tsmc rf cmos پرداخته شده است .هسته ی اصلی تقویت کننده کم نویز ساختار کاسکد است که طبقه ی ورودی آن شامل فیدبک مقاومتی می باشد. چنین ساختاری دارای تطبیق ورودی و گین مناسبی می باشد، امّا عدد نویز و تلف توان بالایی دارد، برای بهبود عدد نویز از تکنیک کاهش نویز استفاده شده است...