در این مقاله ساختار الکترونی و ساختار نوارهای انرژی بلور GaAs در فاز بِلِندروی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافتۀ خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با تقریب‌های مختلف و استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام شده است. در این روش، برای محاسبۀ پتانسیل تبادل‌ـ‌همبستگی از تقریب‌های LDA و شیب تعمیم‌یافته استفاده شده است. نتایج بیانگر آن است که خصوصیات الکترونی و ساختاریِ م...

درطی دهه اخیر کاربرد لیزر در پزشکی به ابزاری موثر در درمان تبدیل شده و از لیزرهای کم توان در درمان آسیب های بافت نرم، درد، آرتریت، ترمیم زخم و غیره بطور گسترده ای استفاده می شود. تاثیر لیزرهای کم توان در درمان به علت اثر فتوشیمیایی آن بر مولکول های بیولوژیکی است. از آنجایی که جنبه های غیر گرمایی اثر این پرتوها نیز مطرح می باشد، لذا هدف از این مطالعه بررسی اثر لیزرهای کم توان بر روی عملکرد عصب م...

در این تحقیق ویژگی های ساختاری، الکترونی و دینامیکی ترکیب گالیم بیسموت در فاز پایدار بلندروی و دو فاز احتمالی بررسی شده است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی کوآنتوم اسپرسو انجام شده است. شبه پتانسیل های مورد استفاده با شرایط بار¬پایسته و فوق نرم ساخته شده اند و تابعی تبادلی- همبستگی آن ها از نوع lda و gga می¬باشد. محاسبات نسبیتی ک...

در این پژوهش ابتدا ضریب ژیرومغناطیسی نقطه ی کوانتومی استوانه ای گالیم آرسنید با پتانسیل سهموی، را در حضور میدان های خارجی و برهم کنش اسپین-مدار راشبا، بررسی کرده و در ادامه با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی، ضرایب جذب خطی و غیرخطی، مورد مطالعه قرار می گیرند. با در نظر گرفتن تقریب جرم موثر و با استفاده از نظریه ی اختلال، معادله‎ی شرودینگر را برای نقطه کوانتومی حل کرده و ویژه‎مقادیر انرژی و ویژه ...

در این پروژه رفتارهای آلیاژ حافظه دار فرومغناطیسی نیکل- منگنز-گالیم به صورت تجربی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور دو تجهیز جانبی (تجهیز اعمال میدان مغناطیسی ثابت و تجهیز اعمال تنش فشاری ثابت) طراحی و ساخته شده است. نمونه تک کریستال نیکل- منگنز-گالیم با ساختار 5m تحت بارگذاری های شبه استاتیکی قرار گرفت. یک دسته از آزمایش هایی که انجام شده است، به منظور بررسی رفتار تنش-کرنش آلیاژ در مید...

نیترید های سه ظرفیتی با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته اند. از میان آنها gan مهمترین و پرکاربرد ترین نیترید سه ظرفیتی است و aln،inn وscn از دیگر اعضای مهم این خانواده هستند.در این پایان نامه تلاش شده است لایه نازک aln به روش رشد روآراستی فاز بخار هیدرید (hvpe) ساخته شود. hvpe روشی مفید برای ساخت نیتریدهای سه ظرفیتی از جمله gan...

در پیوند ناهمگون ‏‎algaas/gaas‎‏ ، بدلیل متفاوت بودن مواد تشکیل دهنده پیوند ، در مرز پیوند رفتاری کاملا متفاوت ، نسبت به ساختار همگون بوجود می آید. در مرز پیوند بدلیل عدم تقارن در رشد جانبی در جهات مختلف کریستالی ، نوسانات مرزی در حد یک لایه اتمی بوجود می آید. بدلیل وجود تفاوت در گاف انرژی ‏‎algaas‎‏ و‏‎gaas‎‏، در مرز پیوند و در ناحیه ‏‎gaas‎‏ چاه پتانسیل مثلثی شکل بسیار نازک به ضخامت حدودا ‏‎2...

در این پژوهش به طراحی و شبیه سازی سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیوم آرسناید و بررسی پارامترهای موثر در تعیین عملکرد سلول خورشیدی پرداخته شده است و بازدهی سلولهای خورشیدی مبتنی بر گالیم آرسناید و cigs با توجه به تغییر ضخامت و تراکم ناخالصی لایه‎ها و همچنین اثرات بازتاب سطحی مورد بررسی قرار گرفته است. با بهینه‎سازی ضخامت لایه پنجره و تراکم ناخالصی ها، بازده بهینه حاصل می گردد در بخش نهایی، روشی اب...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.