نتایج جستجو برای: گالیم آرسنید

تعداد نتایج: 181  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم پایه 1393

در این پژوهش، ابتدا ضریب پذیرفتاری یک سیستم سه ترازی با مدل v با استفاده از رهیافت ماتریس چگالی جهت بررسی ضریب شکست گروه و سرعت گروه نور تحت پدیده ی شفافیت القایی الکترومغناطیسی، محاسبه شده است. با استفاده از معادله شرودینگر ویژه مقادیر و ویژه توابع نقاط کوانتومی استوانه ای گالیم-آرسناید با پتانسیل سهموی محاسبه شده است. سپس با در نظر گرفتن قطبش نور در دو جهت x و z اثرات پارامترهای متفاوتی از جم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1392

امواج تراهرتز (thz) کاربردهای فراوانی در زمینه های مختلف از جمله پزشکی، صنعت، ارتباطات و تصویربرداری با سرعت بالا و ... دارد. از این رو طراحی منابع تولید تراهرتز در ابعاد کوچک از اهمیت زیادی برخوردار هستند. بنابراین در این پایان نامه بر آن شدیم تا موجبری قابل تنظیم و کم اتلاف در ابعاد نانو به شکل مستطیل طراحی کنیم. برای تولید امواج تراهرتز در این موجبر از روش تولید تفاضل فرکانسی (dfg) در محیط غ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - پژوهشکده فیزیک 1392

نانو سیم های نیترید گالیوم در سه بعد دارای خواص پیزو الکتریک می باشد تائید قطبیت پیزوالکتریک روی افت پتانسیل ممکن است عامل مهمی باشد به این شکل که وقتی قطبیت پیزو الکتریک کاهش مییابد افت پتانسیل ساختار کوانتوم ول گالیم نترات بسیار بیشتر می شود میدان پیز و الکتریکی در نانو وایرهای کوانتومی گالیم نیترات نقش مهمی درانتشار نورنیتریدی دیود ها و لیزرها ایجاد می شود .که درطول موج قودرت نوسان گر و طول ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین 1390

در این پایان نامه هدف طراحی، شبیه سازی و بهینه سازی آرایه دو بعدی نانو ذرات مبتنی بر نقاط کوانتومی گالیم نیتراید به عنوان آشکار ساز سیگنالهای فرا بنفش می باشد. ابتدا مدل سازی شبکه دو بعدی نانو ذرات از نظر انتقال حامل مورد تحلیل واقع می شود. انتقال در نانو ساختار گالیم نیتراید بر پایه تونل زنی می باشد و سپس با استفاده از ساختار باند محاسبه شده میزان جذب نور فرا بنفش محاسبه شده و انتقال حاملهای ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم 1392

نانولوله‏ها با خواص منحصر به فرد مکانیکی، الکتریکی و اپتیکی جایگزین مناسبی برای بیشتر مواد به کار رفته در صنعت می‏باشند. تاکنون نانولوله‏هایی از جنس‏های مختلف از جمله کربن، گالیوم نیترید، سیلیکن کاربید، روی اکسید، آلومینیوم نیترید و بور نیترید ساخته شده اند که امروزه از میان آن ها نیم رساناهای نیتروژن‎ دار به دلیل ویژگی های منحصر به فرد، بیش تر توجه محققین را به خود جلب کرده است و از آن جا که ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم پایه 1392

برای مطالعه‏ی خواص فیزیکی و شیمیایی نانوذرات و نانو خوشه‏ها می‏بایست معادله شرودینگر را برای آن‏ها حل نمود. در این مطالعه ما با در نظر گرفتن سیستم‏های فوق به صورت یک سیستم بس ذره‏ای و بخدمت گرفتن تئوری تابعی چگالی (dft) ، حالت پایه‏ی نانو خوشه‏های gannn (10-1n=)، را بررسی نمودیم. معادلات تک ذره‏ای برای ساختارهای الکترونی به روش خودسازگار در فرمول‏بندی کوهن-شم ساختار الکترونی با استفاده از امواج...

در این پژوهش ساختار بلوری و ویژگی‌های مغناطیسی ترکیب‌های Pr2-yLayFe17-xGax (1 و0 = y و2 و1 = x) با به‌کارگیری پراش پرتو X، مغناطیس‌سنج نمونة ارتعاشی و سیستم تداخل کوانتومی ابررسانای مغناطیس‌سنج بررسی شده است. ترکیب‌های سه‌تایی بین فلزی Pr2-yLayFe17-xGax سنتز شدند و نتایج الگوهای پراش پرتو X نشان داد که نمونه‌های تک فاز با ساختار لوزی‌رخ شکل می‌گیرد. با جانشانی اتم‌های La وGaدر ترکیب، پارامتر شب...

ژورنال: :شیمی کاربردی 0
حیدرعلی شفیعی گل گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران اعظم مرادی گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های  gannn (10-1=n)  با استفاده از فرمول­بندی تابعی چگالی(dft) و  به روش paw در بسته­ی نرم افزاری vasp مورد بررسی قرار می­گیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان می­دهد که در  ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک،  اتم‏های n تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازنده‏ی 2n و یون آزید  دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیو...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

ابوالفضل اسماعیلیان حمید جعفری, سید امیرحسین فقهی, علی پهلوان

محیط فضایی به علت وجود گسترة وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانی‌هایی را در کارکرد صحیح سیستم‌های الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستم‌ها یا در مرحلة ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیک‌های مقاوم‌سازی در برابر اثرات تابشی صورت می‌گیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینة ساز و کار آسیب در این سیستم‌هاس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید