یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

بلورهای نوری محیطی با خواص نوری متناوب هستند که از لایه های مواد دی الکتریک متناوب به صورت یک، دو و یا سه بعدی تشکیل شده اند. یکی از خواص مهم این ساختارها، کنترل عبور نور به علت وجود باند ممنوعه نوری و نیز وجود نقص هایی در آن ها است. نقص در بلورهای نوری در اثر تغییراتی در ساختار دی الکتریک های بلور است که خود می تواند یک، دو و یا سه بعدی باشد. اگر در بلورهای نوری نمودار فرکانس بر حسب بردار مو...

پس ازکشف گرافین و خواص منحصر به فرد آن گروه¬های تحقیقاتی، هم در زمینه آزمایشگاهی و هم نظری جذب این ماده شدند. در راه استفاده از گرافین با یک سریمشکلات مواجه می¬شویم که یک راه مرسوم برای حل آن عاملدار دار کردن است. در این مطالعه هیدروژن دار کردن انتخاب شده است. محاسبات انجام شده با روش نظریه تابعی چگالی نشان می¬دهد گرافین به طور کامل هیدروژن دار شده که با نام گرافان شناخته شده است یک نیمه هادی ب...

کاربردهای عملی و مستقیم بلورهای فوتونی مستلزم ساخت بلورهای فوتونی سه بعدی است که بتواند نوار ممنوعه در سه بعد را ایجاد نماید. ساخت بلورهای فوتونی سه بعدی با استفاده از روشهای موجود، دشوار و پیچیده است. یک راه جایگزین برای ایجاد نوار ممنوعه شبه سه بعدی استفاده از بره بلور فوتونی دوبعدی است که ساخت آن با فناوریهای موجود کاملا امکان پذیر است. بره ها بلورهای فوتونی دوبعدی هستند که ضخامت آنها در جهت...

در این مقاله ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و فونونی ایندیم نیترید در فاز ساختاری ورتسایت مورد بررسی قرار گرفته است.محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم- اسپرسو انجام شده است.در محاسبات برای جملۀ تبادلی همبستگی ,تقریب های LDA،GGA و PBE0 به کار گرفته شده است. نتایج نشان می‌دهد که ایندیم نیترید در فاز ساختاری هگزاگونال یک گاف نواری مس...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

موجبرهای نور کند به دلیل اهمیت آن ها در سیستم های تمام نوری توجه جمع کثیری از محققین را به خود جلب کرده اند. در این میان موجبرهای کریستال فوتونی به دلیل ویژگی های منحصر به فردآن ها در این پایان نامه به عنوان موجبر مورد بررسی و طراحی انتخاب شده اند . در این پایان نامه پس از بیان اهمیت موجبرهای نور کند در سیستم های تمام نوری و بررسی روش های بهینه سازی ساختارهای موجبری نور کندبا به کارگیری یک موجب...

در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است. در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج به‌دس...

هیدروژن به عنوان یک سوخت پاک می تواند نقش مهمی در مصرف انرژی ایفا نماید. از طرفی ذخیره سازی و حمل و نقل هیدروژن از مشکلات اصلی استفاده از آن است که با کشف نانولوله های کربنی تا حدود زیادی این مشکل برطرف شده است در این پروژه ابتدا نانولوله های کربنی، به ویژه نانولوله های با قطر کوچک را مدل سازی کردیم و نشان دادیم چگونه انحناء لوله در خواص الکترونی نانولوله های کربنی تأثیر می گذارد. نتایج به دس...

چاههای کوانتومی کاربرد وسیعی در ابزار الکترونیکی مانند ترانزیستورها و صنایع اپتوالکترونیکی مانند لیزرهای نیمرسانا و آشکارسازهای مادون قرمز دارند. مطالعه و بررسی اثر میدانهای خارجی مانند میدان لیزری قوی بر روی چاههای کوانتومی دارای اهمیت فراوانی می باشد. در این پایان نامه اثر میدان لیزری را بر روی خواص نوری چاههای کوانتومی نیمه سهموی و سهموی gaas و چاههای کوانتومی کرنشی ingan/algan بررسی خواهیم ...