کولوکیشن کمترین مربعات یکی از روش‌های مرسوم برای درون‌یابی بردارهای جابجایی محاسبه‌شده با GPS و محاسبه­ی میدان تغییر شکل سطحی زمین است. هدف از این تحقیق ارتقای کیفیت پیش‌بینی با کولوکیشن با استفاده از مدل کوواریانس ناهمسانگرد است که در آن کوواریانس علاوه بر فاصله به جهت نیز وابسته می­باشد. همچنین از روش حداکثر درست نمایی محدودشده برای تعیین دقیق پارامترهای مدل کوواریانس استفاده‌شده است. به‌منظو...

در این کار برخی از ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبsrfe2o4  بررسی می شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت شدۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب های مختلف برای انرژی تبادلی- همبستگی و با استفاده از نرم افزار wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می دهند که برای ترکیب srfe2o4 نظم فری مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری مغناطیس،...

این رساله مبتنی بر دو پژوهش است. در اولین پژوهش به مطالعه ی خواص الکترونی بسپار پلی-پارا-فنیلین بر روی گرافین با استفاده از نظریه اختلال بس ذره ای g0w0 پرداخته ایم. تحلیل چگالی بار و پتانسیل الکتروستاتیکی نشان می دهد که دو قطبی های سطحی شکل گرفته ناشی از اندرکنش بسپار-گرافین ضعیف بوده و انتقال بار قابل ملاحظه ای میان بسپار و گرافین رخ نمی دهد. در تقریب چگالی موضعی (lda) ساختار نواری سامانه مرکب...

فیلتر پخش ناهمسانگرد می‌تواند به عنوان یک روش کارآمد سطح نوفه تصادفی را در بسیاری از داده‌های کاهش دهد، هرچند در استفاده از این فیلتر برای داده‌های لرزه‌ای با سطح نوفه بالا، ‌باید جانب احتیاط را در مورد ظهور رویداد‌های غیرواقعی در مقطع رعایت نمود. در این مقاله، به عنوان یک راه‌حل به منظور مقابله با این مسئله، با معرفی یک چهارچوب هوشمندِ خودکار، خروجی بهینه فیلتر، برای هر نقطه از داده‌های ورودی، ...

روش های مختلفی برای به دست آوردن ساختار باند بلورهای فوتونی وجود دارد که در فصل اول به روش هایی مانند ماتریس انتقال، روش بسط بر حسب امواج تخت و روش تفاضلات متناهی حوزه ی زمان (fdtd) اشاره کرده ایم و در فصل دوم، روش محاسبه ی گاف باندهای یک بلور فوتونی را با استفاده از روش ضرایب فرنل به طور مفصل شرح داده ایم و سپس در فصل سوم، نتایج حاصل را با نتایج به دست آمده از روش ماتریس انتقال مقایسه نموده ایم.

در این مقاله ساختار تعادلی، خواص الاستیکی و مغناطیسی دو آلیاژ  و  با استفاده از نظریه تابعیت چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از روش پتانسیل کامل از طریق نرم افزار Wien2k مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین برهمکنش کولنی درون جایگاهی در قالب روش GGA+U مورد استفاده قرار گرفته تا تأثیرات همبستگی ساختار الکترونی منظور گردد. تغییرات گاف نواری، یا در واقع همان گاف اسپینی با ثابت شبکه در ترکی...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

در این مقاله پاسخ زیرترازهای لاندائو نسبت به تغییر شار در ناخالصیهای ناهمسانگرد بررسی شده است. در حضور این ناخالصیها, ترازهای لاندائو که به صورت تابع دلتا بوده اند, به دو دسته ترازهای گسترده و جایگزیده تبدیل شده و پله هال ایجاد می شود. مشاهده می شود اگر توزیع ناخالصی در جهت جریان, نسبت به جهت دیگر بیشتر باشد, در آن صورت ترازهای جایگزیده, نسبت به حالت توزیع همسانگرد, از مبدا دورتر می شوند و پله ...

  The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and...

گرافین یک لایه تک اتمی از اتم های کربن می باشد که ساختار شبکه ای آن به صورت لانه زنبوری است و در حالت عادی دارای طیف انرژی بدون گاف می باشد. اما می توان با شکستن تقارن بین زیر شبکه های a و b در گرافین، در طیف انرژی آن گاف ایجاد کرد و همین امر باعث متفاوت شدن چگالی احتمال حضور فرمیون های دیراک در زیر شبکه های a و b شده و موجب بوجود آمدن یک قطبش شبه اسپینی غیر صفر در گرافین می شود. اگر گافی که در...