نتایج جستجو برای: گاف انرژی مستقیم
تعداد نتایج: 69434 فیلتر نتایج به سال:
دیودهای نورگسیل پلیمری (pleds) به طورکلی از چند لایه ی آلی پلیمری تشکیل شده اند که روی هم قرار گرفته و با اعمال ولتاژ به آنها، می توان از آنها نور گرفت. این منابع نوری ویژگی های منحصربه فردی دارند که همین ویژگی ها منجر به کاربردهای مختلف آنها شده است. مهم ترین کاربرد این منابع استفاده از آنها در ساخت صفحه نمایش هاست. صفحه نمایش های ساخته شده از این قطعات، در ولتاژهای پایین کار می کنند، می توانن...
لایه های نازک سلنید روی با روش ساده ی رسوب گیری از حمام شیمیایی ساخته شده اند. طرح پراش اشعه x نشان می دهد که محصولات در فاز مکعبی مرکز وجهی سلنید روی تشکیل شده اند. نمونه ها با طیف جذبی برای تعیین گاف انرژی و sem مورد آنالیز قرار گرفته شده اند. نتایج نشان می دهد دمای رسوب گیری نقش پراهمیتی را در فرایند دارد. دیگر پارامترهای تهیه مانند ph و زمان رسوب گیری روی ریخت شناسی و بندگپ انرژی تاثیر دارد...
بتاگالیم اکساید فتوکاتالیستی است که با بهره پایینی متان و دی اکسید کربن را به هیدروژن و مونوکسید کربن تبدیل می کند. یکی از راه های افزایش بهرهء واکنش فتوکاتالیستی کاهش گاف انرژی و یا تسهیل حرکت الکترون از لایه والانس به لایه هدایت می باشد. در این کار تحقیقاتی اثر یون های داپ شده با شعاع های مختلف بر گاف انرژی بتاگالیم اکساید با روش dft و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از نرم افزار wien2k بر...
گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و ...
ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعیهای PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترونولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترونولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...
گرافن دارای ساختاری با پیوند کووالانسی و هیبرید sp2 است که از خود خواص ساختاری و الکترونی ویژه ای نشان می دهد. گرافن یک شبه فلز با گاف انرژی صفر است. جایگذاری کربن های گرافن با بور و نیتروژن در نهایت منجر به تشکیل ساختار عایق شش گوشه نیترید بور می شود. نیتروژن شامل یک الکترون اضافه نسبت به کربن است و بور یک الکترون از کربن کمتر دارد، بنابراین، وقتی n و b به طور مستقیم به جای اتم های کربن در شب...
در این پژوهش، لایه های نازک اکسید روی با ضخامت های متفاوت بین 46 تا 317 نانومتر بر روی زیرلایه شیشه به روش اسپری لایه نشانی شده اند. موفولوژی و میزان زبری سطح لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی ( sem ) و میکروسکوپ نیروی اتمی ( afm ) اندازه گیری شده اند. تصاویر afm و sem لایه ها نشان می دهند که در روند رشد و زبری لایه ها با افزایش ضخامت، دو حالت متفاوت رشد مشاهده می شود. نخست با افزا...
در این مقاله عملکرد سلولهای خورشیدی سیلیکونی ناهمگون به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد بررسی به صورت TCO/ a-SiC (P)/ GaP (i)/ a-Si (n)/a-Si (n+)/metal میباشد. در این کار به جای ساختار مرسوم که از یک لایه سیلیکون آمورف ذاتی برای افزایش بازده استفاده می شود، از یک لایه GaP (گالیوم فسفات) به عنوان لایه ذاتی استفاده شده است. مدلهای مختلفی از این ساختار سلول خورشیدی شبیهسازی شد. تاثیر پارا...
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامتهای اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید