مقدمه: تراهرتز، تابشی غیر مخرب است و از این رو، در دو دهه ی اخیر، برای کاربردهای مختلفی نظیر تصویربرداری پزشکی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. در اختیار داشتن مدلی دقیق از بافت، می تواند راه را برای پژوهش های این حوزه هموارتر سازد. در محدوده ی تراهرتز، آب جذب بالایی دارد و به دلیل بالا بودن مقدار آب در بافت های بدن، ساز و کار اصلی ایجاد کنتراست در تصویربرداری پزشکی تراهرتز، مبتنی بر تفاوت م...

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

در دهه گذشته با توجه به توسعه سیستم¬های مایکروویو بی¬سیم، نیاز مبرمی به سیستم¬های مخابراتی با توان مصرفی کـم و ‫کارایی بالا ایجاد شده است. استفاده از محیط¬هـای ‫انتقال موج عایق مانند dielectric image line کاهش تلفات در فرکانس¬های بالا را به همراه دارد. همچنین تشدید کننده¬های عایقی به¬عنوان تشعشع¬کننده امواج الکترومغناطیس دارای تلفات کم در فرکانس¬هـای مـایکروویو هستند که با توجه به حذف تلفات هاد...

در این تحقیق پودرهای پیزوسرامیکی بدون سرب (K0.44Na0.52Li0.04)(Ta0.1Sb0.06Nb0.84)O3 به دو روش سرامیکی سنتی و پوشش�دهی کلوییدی آبی تهیه گردید. پودرهای سرامیکی سنتز شده پس از پرس شدن در دماهای مختلف پخت شدند. بر روی تمامی نمونه�ها آزمون�های اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و اندازه?گیری خواص دی�الکتریکی انجام شد. الگوی پراش اشعه ایکس نمونه�های بالک ساخته شده از پودرهایی که با روش کل...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

هدف از این کار تجربی ارائه نتایج حاصل از اسپکتروسکوپی دی الکتریک بلور مایع 235 ، در فاز سمکتیک کایرال (فاز فروالکتریک) آن و در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه می باشد. برای این منظور پراکندگی و اتلاف دی الکتریک بلور مایع، در حالت های خالص وآلائیده با رنگینه، در چندین دمای انتخابی از فاز مورد نظر تحت فرکانس های مختلف توسط دستگاه متر، اندازه گیری شده است. میزان تاثیر افزایش غلظت رنگینه بر طیف ه...

در این تحقیق، پودر نانو ساختار تنگستن کارباید با استفاده از فرایند تخلیه الکتریکی ایجاد شده بین دو الکترود تنگستنی و گرافیتی غوطه ور در دو دی الکتریک نفت سفید و آب دی یونیزه، تولید و اثر پارامترهای ورودی فرایند(جریان و زمان روشنی پالس) بر روی نرخ تولید پودر، ساختار، فازها، خصوصیات مورفولوژیکی، توزیع اندازه و شکل نانو ذرات توسط تست های xrd ، tem ، psa و sem مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است. نت...

پوشش‏های الاستومری پلی‏اوره با افزایش چشمگیر حد بالیستیک (پرتابی) زیر لایه خود، در افزایش دوام سازه‏هایی که تحت بار ضربه‏ای حاصل از رویداد انفجار هستند، کاربردهای گسترده‏ای یافته‏اند. برای تهیه الاستومرهای پلی‏اوره از روش پیش پلیمری استفاده شد که در آن زنجیره‏هایی با گروه‏های انتهایی ایزوسیانات تشکیل و در ادامه، عامل پخت (زنجیر افزاینده) به کار رفت. یکی از پرکاربردترین عوامل پخت از نوع آمینی اس...

هدف ما در این پژوهش، بررسی نیروی کازیمیر بر روی سطوحِ دی الکتریکِ زبر است. در این بررسی، پس از شبیه سازی سطحِ یک دی الکتریک با مدلِ رشد MBE و مدلِ گسستۀ داس- سارما در فضای دو بعدی، مشخّصاتِ سطح را به دست آورده با استفاده از آن نیروی کازیمیر بین یک سطحِ زبر و یک سطحِ صاف را از رابطۀ لیفشیتز- با تقریب برای فواصل کم- به دست آوردیم. در آخر برای یک حالتِ خاص، نیروی کازیمیرِ دافعه را برای دو سطح بر حسبِ فاصله مح...

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد ا...