پلاسمای غیر حرارتی در فشار اتمسفر به علت آنکه انرژی الکتریکی اعمال شده به آن به جای گرم کردن محیط گازی، صرف ایجاد الکترون های پر انرژی می شود، غالبا برای آنالیز شیمیایی و یا حذف عناصر نامطلوب از گازها به کار می رود. انرژی الکتریکی نهایتا منجر به تولید رادیکال های آزادی می شود که بسیار فعال تر و تاثیرگذارتر از اتم ها و مولکول های حالت پایه هستند. روش های پلاسمایی متفاوتی برای حذف آلاینده ها از گ...

در این پژوهش، فریت لیتیم  (Li0.5Fe2.5O4)به کمک روش سل- ژل تهیه و اثر عملیات حرارتی در دمای    C°­1000بر روی ساختار و ویژگی­های آن ارزیابی شد. برمبنای آزمون پراش پرتو ایکس(XRD)، ساختار کریستالی مکعبی با گروه فضایی P4332 برای فریت لیتیم قبل و پس از عملیات حرارتی شناسایی شد. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (FESEM) ریزساختار پودرهای تولید بررسی شد. قبل از عملیات حراراتی، در کلوخه­ه...

محافظت از آنتن در برابر عوامل خارجی (باد، باران و برخورد اشیا و پرندگان) توسط رادوم صورت می گیرد. به منظور ساخت رادوم با توان کارکرد در دمای زیاد (بیش از 1000 درجه سانتیگراد)، مناسب پرنده های مافوق صوت (10-5 ماخ)، از سرامیک های مهندسی استفاده می شود. رادوم علاوه بر خواص مکانیکی قابل قبول، باید از ثابت دی الکتریک و تانژانت اتلاف مناسب برخوردار باشد تا بر عملکرد آنتن تاثیر منفی نگذارد. ایجاد تخلخ...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده می شود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف ‎نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتم های دوترازی (...

ساختارهای تصادفی سالهاست که از لحاظ عملی و تئوری مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته، یکی از اثراتی که در ساختارهای تصادفی دیده می شود، تغییر در پهنا و لبه ی گاف فوتونی ساختارمی باشد. ساختارهای تصادفی کاربرد های مفیدی در ساخت لیزرها و کاواک با انعکاس وسیع دارند، بنابراین شناخت این گونه ساختارها برای کاربرد این ساختارها می تواند مفید واقع شود. در این پایان نامه ما به بررسی رفتار ساختارهای تصادفی پریو...

قطعاتی لایه نازک به شکل cu-sio-cu و ag-sio-ag با استفاده از روش تبخیر حرارتی در خلاء (در حدود 10-5 تور) بر روی بسترهای شیشهای از نوع کرنینگ ساخته شدند. ضخامت لایه دی الکتریک در این قطعات بین 1000 تا 4500 و الکترودها از 1000 تا 2000 آنگستروم متغیر بود. پرتونگاری ایکس از لایه دی الکتریک نشان می دهد که ساختار این لایه ها به صورت بی شکل (amorphous) است . مشخصه جریان - ولتاژ نمونه های با الکترودهای ...

زعفران از جمله گیاهانی است که از نظر اقتصادی به دلیل ارزش کلاله آن مورد توجه فراوان قرار گرفته است. برای بررسی امکان جداسازی ناخالصی های احتمالی موجود در زعفران پس از برداشت، به روش الکترواستاتیکی، دستگاهی ساخته شد که از اجزایی شامل منبع تغذیه dc، برد تشدیدکننده ولتاژ، صفحات مسی یا همان الکترودها، واحد باردهی و جعبه های جداکننده می باشد. این دستگاه بر اساس اختلاف در ماهیت دی الکتریک مواد یا تفا...

ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عملی برای غلبه بر ولتاژهای ناخواسته، استفاده از نیم رساناهای هوشمند برای محافظت از چنین سیستم هایی می باشد. این مقاومت ...

در کار حاضر ارتعاشات آزاد و واداشته یک میکروانبرک در تداخل با سیال تراکم ناپذیر محیطی در یک محفظه بسته، مورد مطالعه قرار گرفته است. میکروانبرک از دو میکروتیر یکسرگیردار تشکیل شده است. در بررسی ارتعاشات آزاد، سیال محیطی ترکم ناپذیر و جریان سیال غیرچرخشی و غیر ویسکوز فرض شده است. با استفاده از سری فوریه-بسل و سازگاری سینماتیکی میان میکروتیرها و سیال، معادلات کوپل شده سیستم استخراج شده است. شکل مد...