نتایج جستجو برای: نانو نیمه هادی

تعداد نتایج: 43098  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یاسوج - دانشکده علوم 1393

یکی از روش های موثر حذف آلودگی ها تخریب فوتوکاتالیزوری رنگ های شیمیایی با استفاده از نانو ذرات نیمه هادی درحضور اشعه ماورای بنفش می باشد. هدف از کاربرد نیمه هادی های فوتوکاتالیزوری این است که به طور موثری باعث رفع آلاینده های آلی می شوند. دراین تحقیق تخریب فوتوکاتالیزوری رنگدانه هایزردپیوکتانین و اتیل اورنژ درحضورنانوذراتروی اکسید و روی زیرکونات بررسی شده است.اثرنورماورای بنفش(لامپپر فشار400وات...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1391

ساختار بلوری نانوذرات قلع(ii) سولفید و قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن، روی بلاند بود. نانوذرات قلع(ii) سولفید رفتار دیامغناطیس و نانوذرات قلع(ii) سولفید دوپ شده با آهن(ii) رفتار فرومغناطیس نرم دارند. میانگین اندازه نانوذرات قلع(ii) سولفید، sn0.9fe0.1s و sn0.8fe0.2s به کمک روش xrd به ترتیب 12.6، 9.8 و 8.5 نانومتر محاسبه شد. اندازه فاصله انرژی با استفاده از روش uv-vis، در نانوذرات قلع(ii) سولفید، ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده مهندسی 1393

در شبکه های مخابرات نوری، تقویت کننده های نوری نیمه هادی عنصر بسیار مهمی بحساب می آیند.از میان انواع مختلف این تقویت کننده ها، تقویت کننده نوری نیمه هادی انعکاسی، به دلیل دارا بودن خصوصیاتی از جمله نرخ خاموشی و بهره نوری بیشتر از اهمیت بسزایی برخوردار است. پالس های انتشاری در محیط تقویت کننده توسط مجموعه ای از معادلات دیفرانسیلی غیر خطی کوپل شده رفت و برگشتی توصیف می شوند که برای حل آنها از رو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

توانایی های مبدلهای کلیدزنی dc-dc، آنها را به جزء لاینفکی از تجهیزات الکتریکی تبدیل کرده است. از جمله این توانایی ها می توان به قابلیت پردازش توان در حجم مناسب ، بازده بالا و سادگی تطبیق با کاربردهای مورد نیاز، اشاره نمود. در کاربردهایی که به یک مبدل dc-dc غیرایزوله کاهنده با توانایی فراهم آوردن جریان بالا با ریپل کم نیاز است، مبدل باک درهم تنیده می تواند به عنوان بهترین گزینه مطرح شود. دلیل ای...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
علی اصغر اروجی ali a. orouji semnan universityدانشگاه سمنان اکرم عنبر حیدری دانشگاه سمنان زینب رمضانی دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

ژورنال: :مهندسی برق مدرس 0
mohammad razaghi tarbiat modares university vahid ahmadi tarbiat modares university abas zarifkar iran telecommunication research center

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

ژورنال: :مهندسی مکانیک و ارتعاشات 0
نادر رهبر عضو هیات علمی/ دانشگاه آزاد سمنان مرضیه سیاه مرگویی دانشجو

ترموالکتریکها دستگاههای حرارتی حالت جامد هستند. آنها نیمه هادیهایی هستند که با استفاده از اثر سیبک تولید جریان الکتریکی و بر اساس اثر پلتیر به عنوان نیمه هادی خنک کننده استفاده میشوند. ترموالکتریک دارای قابلیتهای جالبی در مقایسه با دستگاههای برقی و خنککنندههای معمولی است. عدم وجود قطعات در حال حرکت منجر به افزایش قابلیت اطمینان، کاهش در تعمیر و نگهداری، و افزایش عمر سیستم میشود. عدم وجود سیال ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

توانایی کنترل سرعت نور، بسته به اینکه سرعت گروه کاهش یا افزایش پیدا کند، با عنوان نور کند یا تند اطلاق می شود و اخیرا توجه بسیاری را به خود معطوف کرده است. این کنترل بی نظیر کاربردهای درخور توجهی در بسیاری از زمینه های علمی از جمله دانش غیرخطی،rf فوتونیک و شبکه های تمام نوری دارد. از کاربردهای مستقیم تجهیزات نور کند و تند، در زمینه مخابرات می باشد. یک چالش بزرگ که در تکنولوژی اطلاعات امروزه نیز...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1379

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

ژورنال: :علوم و فناوری فضایی 0
ابوالفضل اسماعیلیان سید امیرحسین فقهی حمید جعفری علی پهلوان

محیط فضایی به علت وجود گستره وسیعی از تشعشعات فضایی نگرانی هایی را در کارکرد صحیح سیستم های الکترونیکی و تجهیزات مورد استفاده در فضا ایجاد کرده است. بنابراین با توجه به حساسیتی که این قطعات به تشعشعات دارند، برای تمام قطعات این سیستم ها یا در مرحله ساخت یا در فاز طراحی، نکات و تکنیک های مقاوم سازی در برابر اثرات تابشی صورت می گیرد که نیازمند مطالعات دقیق در زمینه ساز و کار آسیب در این سیستم هاس...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید