ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

در این مقاله مراحل تولید نانو ذرات با روش sol-gel بررسی شده و سازوکارهای های پیشنهادی برای این فرایند، ارائه شده است. هم چنین شرایط عملیاتی و نوع حلال ها و مواد به کار رفته در این فرایند ها، برای تولید نانو پودر های مورد نیاز در صنعت آورده شده است. اثرات این حلال ها بر خصوصیات محصولات تولیدی نیز بررسی شده است. مراحل مختلف مورد نیاز برای تولید نانو متال فلوراید های AlF3 و MgF2 ، نانو کامپوزیت Al...

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمت...

چکیده در این مقاله، از روش نوین، دقیق و سریع تفرق اشعه لیزری جهت تعیین توزیع ابعادی نانو – میکروحباب ها استفاده گردید. نانو- میکروحباب ها با استفاده از یک نانوحباب ساز با طراحی خاص بر مبنای پدیده کاویتاسیون در لوله های ونتوری تولید شدند. علاوه بر اندازه گیری ابعاد، پارامترهای مؤثر شامل زمان، غلظت کف ساز، نوع کف ساز، نرخ گازدهی و همچنین نوع گاز بر ابعاد و توزیع ابعادی نانو – میکروحباب ها نیز مور...

چکیده ندارد.

طراحی تست‎ها در فرایند ساخت ترانزیستورها، از اهمیت بسزایی برخوردار است. تست های جریان مستقیم، جریان متناوب و فرایند ساخت از جمله ی آن ها هستند که به منظور استخراج مشخصه های مختلف ترانزیستورها استفاده می شوند. تست های فرایند ساخت جهت استخراج مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستورها استفاده می شوند و هدف از آن ها کنترل مشخصه های فرایند ساخت ترانزیستور و دست‎یابی به مشخصاتی مطلوب و کاهش تغییرپذیری این م...

نانو ذرات ذرات ریز پراکنده یا ذرات جامد با اندازه 10-100 نانو متر هستند که به اشکال مختلف تهیه می شوند. با توجه به قطعی نبودن اثر درمانی داروهای ضد انگلی و عوارض جانبی آن ها، طی سال های اخیر به استفاده از نانو ذرات در درمان بیماری ها از جمله بیماری های انگلی توجه ویژه ای شده است. مصارف پزشکی نانو ذرات دارای سابقه طولانی در درمان بیماری های مختلف است. در حال حاضر از نانو ذرات مختلف در درمان سرطا...

در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهر...