نتایج جستجو برای: نانولوله زیگزاگ gan
تعداد نتایج: 15754 فیلتر نتایج به سال:
در این پژوهش خواص اپتیکی از قبیل تابع دی الکتریک، ضریب شکست و ضریب خاموشی، هدایت اپتیکی، قاعده جمع قدرت نوسانگر، شدت انتقال بین نواری، و طیف اتلاف انرژی و همچنین خواص الکترونی نظیر ساختار نواری و طیف چگالی حالتها برای انواع نانولوله های کربنی تک جداره و سیستم های پیپاد مطالعه شده است. در محاسبات خواص اپتیکی مختلط از تبدیلات کرامرز- کرونیک استفاده شده است. کلیه توابع اپتیکی در هر دو راستای میدان...
در این پایان نامه ساختار مکانیکی نانولوله های کربنی تک دیواره و بطو خاص دو نوع دسته صندلی وزیگزاگ را از دو روش انرژی معادل و نگاشت تغییر شکل نانولوله ها بررسی می کنیم.که در ان خواص مکانیکی را از دو دیدگاه مختلف مورد بررسی قرار داده ام ودر پایان نتایج را با یکدیگر و همچنین با نتایج قبلی بدست امده مقایسه می کنیم.در روش اول با استفاده از مدل انرژی معادل انرژی پتانسیل کل مجموعه و همچنین انرژی کرنشی...
مجموعه اندازه، ساختار و توپولوژی نانولوله ها باعث ایجاد خصوصیات مکانیکی و سطحی مهم در این ترکیبات می شود. ایده اصلی این رساله, مطالعه آثار ضربه کم سرعت روی نانولوله های کربنی است که برای اولین بار مورد توجه قرار گرفته است. این پژوهش در دو قسمت تحلیلی (مشتمل بر سه روش) و عددی(روش هیبریدی-مکانیک محیط پیوسته) بوده و علاوه بر این، نتایج تحلیلی با نتایج تجربی دیگر محققین در مقیاس ماکرو و نانو مقایسه...
در این مقاله با استفاده از روش شبیهسازی دینامیک مولکولی، خواص مکانیکی پلی وینیل پیرولیدون تقویتشده با نانولولههای کربنی تک جداره مورد بررسی قرار میگیرد. اثر قطر و کایرالیتی نانولوله بر مدول الاستیک نانوکامپوزیت تقویت شده با نانولولههای کربنی مطالعه میشود. نشان داده میشود که پلیمرهای تقویت شده با نانولولههای زیگزاگ از نانولولههای آرمچیر، دارای مدول یانگ طولی بزرگتری هستند. به عنوان نمون...
Thick GaN films, with (1120) or (1126) planes parallel to the r-plane of sapphire, were grown by molecular beam epitaxy using AlN or GaN buffer layers. Characterization by transmission electron microscopy revealed a high density of basal-plane stacking faults (BSFs) in the (1120) non-polar GaN (a-GaN) films. {1120} and {1010} prismatic-plane and {1102} pyramidal-plane stacking faults (SFs) doma...
This work reports both experimental and theoretical studies on the InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) with optical output power and external quantum efficiency (EQE) levels substantially enhanced by incorporating p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN (PNPNP-GaN) current spreading layers in p-GaN. Each thin n-GaN layer sandwiched in the PNPNP-GaN structure is completely depleted due to the built-in ...
در این پروژه اثر جایگزین شدن اتم های آلومینیوم و نیتروژن، و همچنین جذب مولکول دی اکسید کربن بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله بورفسفید (bpnt) مورد مطالعه قرار گرفته است. در این راستا رزونانس مغناطیس هسته ای (nmr)، رزونانس چهار قطبی هسته ای (nqr)، ساختارهای homo - lumo و توصیف گرهای مولکولی کوانتومی مانند سختی، پتانسیل شیمیایی، الکترون خواهی و الکترونگاتیویته بررسی شدند. در فصل دوم و سوم...
نانولوله کربنی یکی از آلوتروپ ها ی کربن است. این ماده در واقع یک نانوساختار تک بعدی می باشد که به علت دارا بودن خواص الکتریکی، مکانیکی و حرارتی منحصر به فرد، کاربردهای متنوعی در فناوری نانو دارد. می توان گفت نانولوله کربنی ماده استراتژیک فناوری نانو بوده و حتی در بسیاری از موارد، فناوری نانو با این ماده شناخته می شود. نانولوله کربنی، ورقه گرافیت پیچانده شده ای است که قطر آن چند نانومتر و طول آ...
Gallium nitride (GaN) nanostructures (NS) were synthesized using pulseddirect current plasma enhanced chemical vapor deposition (PDC-PECVD) on quartzsubstrate at low temperature (600°C). Gallium metal (Ga) and nitrogen (N) plasma wereused as precursors. The morphology and structure of the grown GaN NS werecharacterized by field emission scanning electron microscope (FE-SEM), transmissionelectro...
در این رساله، در بخش اول ویژگی های الکترونی صفحات گرافن خالص و ناخالص شده با نیتروژن (گرافیتی، پیریدینی و پیرولی) بررسی شده است. در ادامه با انباشته کردن صفحات گرافن خالص، گرافیتی و پیریدینی وتشکیل گرافیت خالص و نا خالص و قرار دادن اتم های لیتیم در بین آن ها با چیدمان 1stage-، ویژگی های الکترونی آن ها مورد بررسی قرار گرفته است. در گرافن خالص نوار ظرفیت و هدایت یکدیگر را در نقطه k قطع می کنند در...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید