نتایج جستجو برای: میدان های تفاضلی کلی

تعداد نتایج: 498924  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده دامپزشکی 1392

تعداد 110جدایه اشریشیا کلی از گوساله های نوزاد مبتلا به اسهال جهت ردیابی ژن های stx1، stx2، f41، sta،hly ،eae و f17 و نیز 110 جدایه اشریشیا کلی از گوساله های نوزاد سالم به منظور بررسی وجود سه ژن ‍f41، f17، sta با استفاده از روش duplex pcrوuniplex مورد آزمایش قرار گرفتند. در بین 110 جدایه اشریشیا کلی از گوساله های نوزاد مبتلا به اسهال، ژن های stx1، stx2، eae، hlya، sta، f17 و f41 به ترتیب در ...

Journal: : 2023

به منظور ساخت، راه‌اندازی و عیب‌یابی مقدماتی چشمه پنینگ داخلی سیکلوترون 10IRANCYC، یک مگنت الکتریکی دوقطبی با میدان مغناطیسی در حد امکان مشابه مرکز مذکور طراحی ساخته شد. این الکترومگنت که دانشکده فیزیک دانشگاه تهران شد، قادر است بزرگی 7000 گوس را محل استقرار (منطقه‌­ای شعاع 15 میلی‌متر مگنت) آسانی بدون نیاز خنک‌سازی تأمین کند. دست‌­یابی 1/1 تسلا نیز استفاده از برای مدت چند دقیقه امکان‌­پذیر است...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1389

میکروسکوپ فلوئورسنس بازتابش کلی، بر میدان میرا استوار است. هنگام عبور نور از مرز مشترک ما بین دو محیط، اگر زاویه تابش بزرگتر از زاویه حد باشد، نور به طورکامل بازتابیده می شود. این حالت فقط وقتی اتفاق می افتد که نور از محیطی با ضریب شکست بیشتر به محیطی که ضریب شکست آن کمتر است، بتابد. هنگام بازتابش کلی نور از مرز مشترک، در محیطی که ضریب شکست آن کمتر است، میدان میرا تولید می شود که عمق نفوذ آن حد...

عبدالله سیف محمد شریفی‌کیا کورش شیرانی

پرتاب ماهواره‏ های دارای سنجنده‏ های راداری با گشودگی ترکیبی (SAR)، به ­منظور کاربردهای تداخل‏ سنجی تفاضلی، فرصت جدیدی برای آشکارسازی و پایش تغییر شکل‏ های بطئی، کند و حتی سریع زمین فراهم آورده است. این پژوهش با هدف مقایسه و ارزیابی کارایی دو سنجنده راداری در شناسایی، پایش و تهیه نقشه ثبت زمین‏ لغزش در ارتفاعات دنای زاگرس واقع در جنوب استان اصفهان با استفاده از تکنیک تداخل‏ سنجی تفاضلی تصاویر م...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2015
احسان رشیدی نژاد حسین محمدی شجاع

تعیین دقیق میدان های الکتروالاستیک در مواد پیزوالکتریک دارای نانوساختارهای کوانتومی به منظور تعیین رفتار و عملکرد دقیق الکترومکانیکی اینگونه مواد دارای اهمیت فراوان است. در این مقاله دستگاه معادلات دیفرانسیل پاره ای حاکم بر محیط پیزوالکتریک در حضور نانوساختارهای کوانتومی تشکیل داده شده و با استفاده از روش سری فوریه، راه حلی تحلیلی، کلی و جامع برای حل و بدست آوردن میدان های الکتروالاستیک در مواد...

ژورنال: :فصلنامه علمی - پژوهشی مواد نوین 2015
حسین مومنی

تولید بیلت های آلومینیمی با قطر بالا و با حداقل عیوب ساختاری، یکی از خواسته های پژوهشگران و صنعتگران صنایع مرتبط است. در این پژوهش مدلی برای شبیه سازی روش ریخته گری تبرید مستقیم در حضور میدان الکترومغناطیسی با فرکانس پایین با حل توأمان میدان های فیزیکی گوناگون توسعه یافته است. این مدل با نتایج تجربی اندازه گیری دما و میدان مغناطیسی در محدوده بیلت تولیدی مورد ارزیابی و اعتبارسنجی قرار گرفته است....

  آب عنصر حیاتی برای بقا و حفظ کیفیت و منابع آن برای هر کشوری حائز اهمیت است. به ‌منظور بررسی اثر میدان مغناطیسی و نانو فیلتر بر آب آبیاری بر برخی صفات رشدی گیاه گوجه‌فرنگی شامل روز تا جوانه‌زنی، درصد جوانه‌زنی، سرعت جوانه‌زنی، ارتفاع گیاه، طول ریشه‌چه، وزن تر و خشک، رنگیزه‌های فتوسنتزی و...

در این پژوهش، الیاف نایلون 6با نسبت کشش کلی ثابت (4/63)زیر کشش گرم یک، دو و سه مرحله ای قرار گرفتند. برای بررسی ارتباط میان ساختار و خواص کششی از طیف سنجی زیرقرمز، پراش پرتو ،Xگرماسنجی پویشی تفاضلی و ضریب شکست مضاعف استفاده شد. نتایج نشان داد، طی کشش فاز بلوری گاما به آلفا تبدیل می شود. با اجرای کشش سه مرحله ای، در مقایسه با کشش یک و دو مرحله ای در نسبت کشش ث...

بهمن سلیمانی, سید احسان ابراهیمی موسی ظهراب زاده

هیدرودینامیک مهمترین عامل مکانیسم جابجایی سیال در مخازن تولیدی هیدروکربن است. در بررسی هیدروشیمایی مخزن از نمودار پایپر و نمودار ترکیبی استفاده شد. داده های هیدروشیمیایی تیپ آب مخزن را از نوع کلروره-سدیک نشان داده و از اختلاط آب با منشاهای مختلف در آبده میدان، حکایت می­کنند و وجود یک جریان هیدرودینامیک را نشان می­دهند. شدت جریان و اختلاط جزئی نمایش داده شده با این نمودارها، حکایت از ضعیف بودن ج...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد 1390

در سال های اخیر به دلیل افزایش سیستم های قابل حمل که منابع تغذیه ی قابل دسترسی محدودی دارند، مصرف توان به یکی از مفاهیم اساسی در طراحی سیستم ها تبدیل شده است. در تکنولوژی های cmos این مصرف توان به دو بخش توان استاتیکی و توان دینامیکی تقسیم می شود. توان استاتیکی معمولا در مدار های با فشردگی پائین قابل صرفنظر است، اما با مقیاس بندی تکنولوژی و افزایش چگالی ترانزیستورها در تراشه ها، بخش عمده ای از ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید