نتایج جستجو برای: مدار ترانزیستور

تعداد نتایج: 6033  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

امروزه پردازنده ها ها از میلیارد ها ترانزیستور تشکیل گردیده است. بنابراین اطمینان از عملکرد آن ها در همه شرایط کار بسیار دشواری است. بنابراین طراحی های باید در ابتدا به گونه ای باشد تا تست قطعات به راحتی صورت گیرد. یکی از روش های پر کاربرد در تست مدارات دیجیتال استفاده از طراحی bist برای تست مدارات می باشد. طراحی bist به گونه ایست که الگوهای تست به صورت داخلی در مدار تولید شده و به مدار اعمال م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

این پایان نامه یک ضرب کننده ی آنالوگ چهارربعیِ کم توان با استفاده از دو بلوک مجذورساز جریان و یک تفریق کننده طراحی شده است. مدار مجذورساز جریانی با استفاده از حلقه های تراخطی ساخته شده که موجب می شود سیگنالِ خروجی مدار به دما و فرآیند ساخت غیر حساس باشد. در ساختار هر مجذورساز از طبقات خروجیِ کلاس ab که قابلیت ارائه ی نسبتِ تحریک جریان و رنج پویایی بالا و توان مصرفی و حساسیت پایین را دارا هستند استف...

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 2015
عباس اسدی آقبلاغی مهران عمادی

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش های اصلی پردازنده های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع کننده ی جدیدی با بهره گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

ژورنال: :علوم و فناوری های پدافند نوین 0
وحید عطار vahid attar emam hossein univercityدانشگاه امام حسین(ع) محمد حسین قزل ایاغ mohamad hossein ghezel ayagh emam hossein univercityدانشگاه امام حسین(ع) امیر مسعود میری amir masoud miri emam hossein univercityدانشگاه امام حسین(ع)

با توجه به نقش اصلی گیت­های xnor-xor و با توجه به این که مدارهای بلوک­های ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضرب­کننده­ها، تمام جمع­کننده­ها، مقایسه­گرها و دیگر مدارها هستند، روش­های جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (deep submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد م...

Journal: : 2023

قدرت تفکیک دستگاه طیف‌نگار جرمی به صورت مستقیم شدت یون خروجی و انرژی آن بستگی دارد. مقدار تولید شده جریان باریکه الکترونی وابسته است. از جمله وظایف مدار کنترل چشمه برخورد تنظیم برای رسیدن بهینه می‌باشد. در ساخت پارامترهایی نظیر تثبیت آن، دقیق پتانسل الکتریکی لنز الکترودهای یونی بسیار حایز اهمیت این مقاله با قابلیت انتشار الکترون، پتانسیل نقاط طراحی ساخته شد. کنترلر بر روی طیف نگار 44Varian MAT ...

Journal: : 2022

هدفت الدراسة إلى توضيحان الدولة الصينية الحديثة قائمة على مبدأ عدم التدخل في الشؤون الخارجية للدول، لذلك ما نجد مجموعة كبيرة المهتمين بالشأن الصيني مندهشين اشد اندهاش من استعمال الصين لحق النقض داخل مجلس الأمن الأزمة السورية مرتين خلال أربعة-أشهر، علما بأنها لم تستعمله قبل سوى إحدى عشر مرة مدار أزيد أربعين سنة، هدا التحول يِؤكد أن هناك دوافع دفعت النظام لدلك ،كان رأسها اقتصادية حيث خشيت محاصرة ش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی امیرکبیر(پلی تکنیک تهران) - دانشکده مهندسی برق 1386

تحلیل و مدل سازی ترانزیستور به عنوان مهم ترین بخش مدارهای الکترونیکی فرکانس بالا، جزء بحث های مهم و کلیدی در طراحی دقیق مدارهای الکترونیکی می باشد. معمولاً هنگامیکه فرکانس کاری مدار و به تبع آن فرکانس کاری ترانزیستور پایین است، از مدل فشرده به نام مدل مدار معادل، برای مدل سازی ترانزیستور و طراحی مدارهای الکترونیکی استفاده می شود. ولی صحت و دقت این مدل ها با افزایش فرکانس و قابل مقایسه شدنِ ابعاد ...

ژورنال: :مهندسی برق و الکترونیک ایران 0
مریم معاضدی m. moazedi سید ادیب ابریشمی فر s. a. abrishamifar

چکیده: برای داشتن نرخ داده­ با پهنای­باند وسیع بین قطعات الکترونیکی نیاز به استفاده از تکنولوژی پیشرفتۀ مدیریت کلاک مانند حلقۀ قفل تأخیر (dll )می­باشد. با استفاده از dll می­توان هم­زمانی دقیقی بین سیگنال­های کلاک داخلی و خارجی ایجاد کرد. در این مقاله، یک dll مناسب برای سیستم های واسطۀ سرعت بالا در حافظه ها و i/oها با استفاد از ترکیب مدارهای دیجیتال و آنالوگ، طراحی و سپس با استفاده از نرم­افزار ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده فنی 1391

با ادامه روند کوچک شدن طول کانال ترانزیستورها در تکنولوژیهای cmos مقیاس نانو، جریان نشتی افزایش می یابد بطوریکه توان نشتی، مخصوصا در گیتهای عریض، مولفه بسیار زیادی از کل توان تلفاتی سیستم را تشکیل می دهد. از سوی دیگر افزایش جریان نشتی منجر به کاهش مصونیت در برابر نویز مخصوصا در گیتهای دینامیکی عریض (با درون دهی زیاد) می گردد. بنابراین کاهش توان نشتی و افزایش مصونیت در برابر نویز به موضوع مهمی د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

این پایان نامه به طراحی یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند می پردازد که در آن از تکینک حذف نویز پهن-باند با حداقل تعداد عناصر پسیو استفاده شده است. تحلیل دقیق نویز مدار نشان می دهد که نویز القایی گیت در باند uwb از اهمیت بیشتری نسبت به نویز حرارتی برخوردار است که مقایسه نتایج شبیه سازی و تحلیل تئوری این موضوع را به خوبی نشان می دهد. افزایش عملکرد خطی مدار با استفاده از تکنیک جمع آثار مشتقات برا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید