در این پژوهش نانو پودر bi2te2.7se0.3 و نانوپودرهایbi2te2.7se0.3، bi2te2.1se0.9 و bi2te1.5se1.5 به ترتیب به روشهای شیمی تر و هیدروترمال سنتز شدند. لایه نازک آن ها با استفاده از روش تبخیر حرارتی در خلا به ضخامت 100 نانومتر لایه نشانی شد. مورفولوژی پودرها و لایه های نازک با استفاده از پراش پرتوایکس (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem) بررسی شده است. برای پودرها و لایه های نازک ساختار هگزاگونال و ...

فوتوآند نیمه ‌هادی حساس شده با رنگینه، نقش مهمی در تبدیل فوتون‌ها به انرژی الکتریکی ایفا می‌کند. به منظور رسیدن به سلول‌هایی با بازده‌ی بالا، تهیه الکترود با مساحت سطحی بالا که به جذب رنگینه کافی منتهی شود، الزامی است. یک روش موثر برای کنترل تخلخل، مساحت سطحی و چگالی فیلم، روش رسوب ‌دهی الکتروفورتیک ناوذرات اکسید تیتانیوم است. در این مقاله از روش رسوب دهی الکتروفورتیک برای ایجاد لایه متخلخل اکس...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید نیکل به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. نخست، اثر غلظت محلول اولیه نیترات نیکل و دمای بستر بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی لایه های نازک nio بررسی شد. نتایج این بررسی ها نشان داد که غلظت بهینه و دمای مناسب بستر برای تهیه لایه های نازک نانوساختار اکسید نیکل با رسانایی الکتریکی نوع-p و شفا...

لایه نازک با ترکیب شیمیایی Ti45Cu35Zr15Sn5 بوسیله روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم در اتمسفر آرگون و در دمای محیط تهیه گردید. بررسی ریزساختار توسط پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از وجود ساختار آمورف در لایه های نازک پس از کندوپاش می باشد. در این مقاله رفتار و سینتیک بلوری شدن لایه نازک شیشه ای با استفاده از آنالیز گرماسنجی روبشی تفاضلی بصورت همدما و غیرهمدما مورد بررسی قرار گرف...

با پیشرفت فناوری در سال¬های اخیر لایه های نازک اکسیدهای نیمرسانای شفاف(tco) بر پایه اکسیدروی (zno) واکسیدکادمیومcdo) ) نظیرآلیاژ سه تایی ‍‍cdzno بطور گسترده برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی مانند سلولهای خورشیدی، بازتاب کننده های گرمایی، ولایه های نازک فتوولتائی مورد توجه قرار گرفته اند. در این کار، ابتدا لایه های نازک cd_x zn_(1-x) o به روش سل-ژل روی زیر لایه های شیشه ای و سیلیکونی انباشت شدند. ...

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیر لایه gaas نوع n به روش های الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. روش های الکتروانباشت و الکترولس هر دو به دلیل سادگی، انجام در شرایط متعارفی و نیز مقرون به صرفه بودن روش های مناسبی برای تولید لایه های نازک می باشند. در الکتروانباشت به منظور رشد لایه های مس بر زیرلایه gaas از تکنیک های پتانسیل ثابت و جریان ثابت استفاده شد و با استفاده از تصاویر sem شرایط منا...

یکی از شاخه های مهم در علم اسپینترونیک ترابرد جریان اسپینی از یک ماده فرومغناطیس به درون نیم رسانا می باشد. امروزه از مواد فرومغناطیس مختلفی برای این منظور استفاده می شود. یکی از راه های افزایش کارایی ابزا رهای اسپینترونیکی به کارگیری فرومغناطیس هایی است که بتوانند جریانی با قطبیدگی اسپینی بالا تولید کنند و نیم فلزات فرومغناطیس با داشتن قطبش اسپینی 100 % در تراز فرمی گزینه ی مناسبی برای این منظ...

امروزه بسیاری از قطعات مدرن و پیچیده نوری، الکتریکی و الکترونیکی به¬صورت لایه نازک ساخته می¬شوند. در بین لایه¬های نازک رسانا، لایه¬های نازک نقره به علت قیمت مناسب، رسانایی بسیار زیاد و انعکاس نور بالا، یکی از پرکاربردترین نوع لایه¬ها هستند. دراین تحقیق، لایه¬های نازک نقره بر روی زیرلایه اکسید ایندیم-قلع با روش تبخیر فیزیکی بمباران پرتو الکترونی و روش رسوب¬گذاری الکتروشمیایی تهیه شدند. در روش تب...

در دهه های اخیر نقش نانو ساختارها خصوصا لایه های نازک در فناوری های الکترونیکی و مغناطیسی گسترش فراوانی یافته اند. لایه های نازک رسانا در این میان از اهمیت بالایی برخوردار بوده و بنابر این بررسی خواص ساختاری و الکتریکی این دسته از لایه های نازک از اهمیت بسزایی برخوردار است. در این تحقیق لایه ها و چندلایه ای های رسانا با روش های متداول انباشت تهیه شده اند و با استفاده از روشهای مختلف خواص ساختا...

چکیده ندارد.