در این مقاله, لایه های نازکی از ترکیبات سرمت zr-zro2 به روش اسپاترینگ مگنترون بر روی زیر لایه هایی از si و نیز کوارتز همجوشیده جایگذاری شده, پاسخ اپتیکی نمونه ها به تغییر فشار جزیی اکسیژن و نیز تاثیر بازپخت لایه ها بر ساختار بلوری لایه و طیف نوری نمونه ها مورد بررسی تجربی قرار گرفته است. نتایج حاصل از xrd حاکی از بی شکل بودن ترکیبات کامپوزیت تهیه شده بود؛ اما آزمایشها نشان دادند که بازپخت در خل...

اکسید روی یک نیمه رسانای نوع n- با محدوده گاف انرژی پهن ev4/3-2/3 می باشد. چون اکسید روی دارای فاصله بین ترازی پهن درمحدود? مرئی است، بعنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی? واریستورها، دستگاه های موج اکوستیکی سطح(saw) ، همچنین در ساخت سلولهای خورشیدی نیز به کار می رود. روش های متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده...

در این مقاله فرآیندهای بازپخت موجود برای رهاسازی تنش و رفع تنشهای پسماند از صفحات پلی کربنات، مطالعه و با انجام آزمایش ارزیابی می شوند. سپس با انجام تغییر و تصحیح بر آنها، عملیات حرارتی متعدد در کوره بر روی نمونه های گوناگون به صورت سعی و خطا اجرا می شود. با بررسی نتایج حاصله، فرآیند حرارتی مناسبی پیشنهاد می شود که امکان تنش زدایی از صفحة پلی¬کربنات را ضمن کاهش زمان و هزینة بازپخت فراهم نماید. ...

در این پژوهش به بررسی تاثیرخواص ساختاری ،الکتریکی ومغناطیسی ترکیب پرداخته وهمچنین تاثیر دما رانیز بر روی این ترکیب مورد بررسی قرار دادیم .نمونه ها به روش سل- ژل ساخته شدند.به منظور بررسی تاثیر دمای بازپخت، بر روی ترکیب ،نمونه مورد نظر در سه دمای800 ،1000و1200درجه سانتیگراد کلوخه سازی شد.آنالیز الگوی پراش پرتو ایکس نشان داد که همه ترکیبات ساختار رومبوهدرال دارند وبا افزایش دمای بازپخت ،قله ها تی...

هدف از تحقیق حاضر بررسی اثر پارامترهای فرآیند انجمادسریع نظیر فوق ذوب و سرعت چرخ تبریدی و همچنین تاثیر عناصر آلیاژی al(5/1 درصد اتمی ) و ge (1درصد اتمی ) بر ریز ساختار، خواص مغناطیسی و سینتیک فرآیند تبلور سیستم آلیاژی fe si-b-nb-cu بوده است بر همین اساس آلیاژهایی با ترکیب fe si-b-nb-cu و همچننی fe si-b-nb-cu تهیه و با استفاده از فرآیند انجمادسریع و به وسیله دستگاه چرخ مذاب در شرایط مختلف از ف...

بر اساس نتایج به دست آمده از طیف های پراش پرتو x و تصاویر sem دمای لایه نشانی 450 درجه سانتیگراد به عنوان بهترین دمای رشد لایه نازک استنات کادمیم اتنخاب شد. لایه نازک مورد نظر در این دما دارای خواص بهینه ساختاری، اپتیکی و الکتریکی بود. افزایش حجم محلول اسپری از 50 تا 150 میلی لیتر باعث شکل گیری بهتر ساختار در این دما گردید. بنابراین اثر آلایش و عملیات حرارتی نیز در این دما و در حجم محلول 150 ...

در این پژوهش آلیاژ حافظه­پذیر فرومغناطیس ni47mn40sn13  به روش آلیاژسازی مکانیکی ساخته شد. بدین منظور مخلوط پودرهای اولیه در آسیای سیاره­ای در اتمسفر آرگون به­مدت 20 ساعت تحت آسیاب­کاری قرار گرفتند. الگوی پراش پرتو ایکس تشکیل ساختار بلوری آلیاژ هویسلر را تایید کرد. به­دلیل تنش­های وارده در مرحله آسیاب­کاری، نمونه ساختار کاملاً منظم نداشت و در منحنی پذیرفتاری آن گذار مارتنزیتی مشاهده نشد. به­همین ...

لایه های نازک سولفید روی به علت کاربردهایشان در وسایل اپتوالکترونیک مانند دیودها، نمایشگرهای صفحه تخت و پوشش های ضد بازتاب در فناوری های سلول های خورشیدی، بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از میان انواع روش های لایه نشانی سولفید روی، اسپری گرمایی به دلیل هزینه کم، سادگی، توانایی کنترل شدت لایه نشانی و تهیه لایه های یکنواخت و قابلیت لایه نشانی بر روی سطوح بزرگ، روشی کارآمد می باشد. در این تحقیق،...