چکیده با کاهش ابعاد ترانزیستورهای ماسفت و نزدیک شدن به حد نانومتری، شیب زیر آستانه ترانزیستورها زیاد می¬شود. بالا بودن شیب زیر آستانه در این ترانزیستورها و داشتن نسبت ion/ioff پایین، کاربرد آنها را در مدارهای دیجیتال و آنالوگ دچار چالش می¬کند. برای کاهش شیب زیر آستانه و همچنین افزایش نسبت ion/ioff، ساختارهای تازه ای معرفی شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل زنی یکی از آنها است. این تران...

در دهه اخیر تحقیقات گسترده ای در زمینه خواص فیزیکی (in)gaas1-xnx به عنوان نیمرساناهای نیتروژندار رقیق صورت گرفته است. این مواد با ویژگی کوچکی و مستقیم بودن گاف نواری در محدوده 1 الکترون ولت از کاربرد بالایی در قطعات الکترونیک و اپتوالکترونیک برخوردارند. در این بین ساختار ناهمگون (in)gaas1-xnx/algaas با چاه های کوانتومی مربعی و مثلثی، با توجه به خصوصیت منحصر بفرد آن که امکان تشکیل کانالی رسانا ا...

شبه کریستال های فوتونیکی با توجه به ویژگی های برجسته ای که در زمینه کنترل نور داشته اند، در چند دهه اخیر مورد توجه محققان در رشته فیزیک و مهندسی فوتونیک، بوده است. این ساختارها ویژگی ها و خواص مشابه و البته بهتری از کریستال های فوتونیکی به نمایش می گذارند، که ناشی از درجه آزادی بیشتری است که در ساختارهای غیرپریودیک نهفته است. از جمله مشخصات مهم و بارز این ساختارها، شکاف باند فوتونیکی کامل و ایز...

در این تحقیق، خواص نوری و الکترونی فولرن -پلیمرهای ناهمسان به عنوان مدلی برای سلول های خورشیدی آلی در فاز گازی و حلال مورد بررسی قرار گرفت. پلیمرهای(2d( (1d)و (3d) به عنوان دهنده و c60، c70، pc60bm و pc60be به عنوان پذیرنده استفاده گردیدند. در این مطالعه سطوح انرژی، شکاف homo-lumo و انرژی بازآرایی توسط نظریه تابعیت چگالی (dft) بدست آمدند. نظریه dft وابسته به زمان (tddft) برای محاسبه خواص نوری آ...

دستگاه¬های لایه¬نشانی به روش کندوپاش dc مغناطیسی واکنشی برای لایه¬نشانی اکسید مس و روش تبخیر حرارتی برای لایه¬نشانی فلزات طلا، منگنز و آلومینیوم به عنوان اتصالات اهمی پیاده-سازی و راه¬اندازی شدند. فازهای اکسید مس با توجه به فشار جزئی گاز اکسیژن در محفظه لایه¬نشانی تفکیک و اندازه¬گیری¬های الکتریکی و نوری برای این لایه¬ها صورت پذیرفت. تطبیق اندازه-گیری¬های مقاومت ویژه، غلظت و تحرک حفره¬ها و میزان...

در این مقاله ساختار جدید δ-doped ldd hmesfet را معرفی و شبیه سازی می کنیم. یکی از راههای افزایش سرعت حامل در کانال در مجاورت سورس ترانزیستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون hmesfet است؛ یعنی از سورس alxga1-x as در مجاورت کانال gaasاستفاده می شود. با افزایش x (در صد مولی al ) می توان ناپیوستگی گاف نوار (δeg) در فصل مشترک سورس - کانال را افزایش داد و سرعت حامل را در ناحیه میدان ضعیف زیاد کرد. ام...

در پیوند ناهمگون ‏‎algaas/gaas‎‏ ، بدلیل متفاوت بودن مواد تشکیل دهنده پیوند ، در مرز پیوند رفتاری کاملا متفاوت ، نسبت به ساختار همگون بوجود می آید. در مرز پیوند بدلیل عدم تقارن در رشد جانبی در جهات مختلف کریستالی ، نوسانات مرزی در حد یک لایه اتمی بوجود می آید. بدلیل وجود تفاوت در گاف انرژی ‏‎algaas‎‏ و‏‎gaas‎‏، در مرز پیوند و در ناحیه ‏‎gaas‎‏ چاه پتانسیل مثلثی شکل بسیار نازک به ضخامت حدودا ‏‎2...

در این پایان نامه به بررسی ساختار روی توان های عملگرهای p-هیپونرمال و log-هیپونرمال می پردازیم که از مسئله ی عملگرهای هیپونرمال الهام گرفته شده است. ساختار روی توان های عملگرها مرکب از ساختار همگون و ساختار ناهمگون می باشد و مسئله ی اصلی ساختار روی توان های عملگرها ،به ساختار ناهمگون روی توان های عملگرها تعلق دارد. ساختار روی توان های عملگرهای p-هیپونرمال برای 0<p شده است. همچنین برخی از کاربرد...

تمرکز نامعقول و نا متناسب امکانات در عرصه های زیستی، توسعه ی اقتصادی – اجتماعی نابرابر نواحی جغرافیایی را در پی خواهد داشت. موضوعی که بازتاب آن را در چشم انداز جغرافیایی شهرها و رشد ناهمگون آنها نیز می توان یافت. فرآیند چنین روندی شبکه شهری را در عملکرد خود نامتعادل ساخته است. برای ایجاد تعادل و به منظور شکل دادن فضاهای مناسب و همگون بحث برنامه‌ریزی منطقه ای، شناخت نابرابری های اقتصادی، اجتماعی...

نسل جدید شبکه های توزیع برق، شبکه هوشمند برق یا smart grid است. اتکای ما به انرژی برق و شبکه هوشمند برق برای مدیریت تولید، انتقال، توزیع و مصرف آن باعث شده که هر دو به دارایی مهم و حساس تبدیل شوند. قطع شدن تأمین قدرت برق پیامدها و تأثیرات اجتماعی گسترده ای دارد. بنابراین، امنیت شبکه هوشمند برق به مسئله ای مهم تبدیل شده است. ستون فقرات شبکه برق هوشمند شبکه ی ارتباطی آن هست که اجزای مختلف را به ه...