نتایج جستجو برای: سیلیسیوم

تعداد نتایج: 195  

ژورنال: :مجله علمی تخصصی مهندسی مکانیک تبدیل انرژی 0
مهدی قبیتی حسب mehdi ghobeiti hasab department of metallurgical and materials, faculty of engineering,گروه مهندسی متالورژی سید رسول خیام نکویی seyyed rasoul khayyam nekouei graduated student, school of metallurgy and materials engineering, college of engineering, university of tehran, tehran, iran

در این تحقیق تاثیر محیط کوئنچ پس از آستنیته کردن، محیط کوئنچ پس از بازپخت و انجام بازپخت در دو مرحله بر استحکام تسلیم، استحکام کششی و درصد ازدیاد طول فولاد کم آلیاژ aisi 4130 شامل عناصر آلیاژی کروم، منگنز و سیلیسیوم بررسی شد. دمای آستنیته کردن 880 درجه سانتی گراد در زمان 20 دقیقه، دمای بازپخت اول 480 درجه سانتی گراد در زمان 120 دقیقه و دمای بازپخت دوم 430 درجه سانتی گراد در زمان 60 دقیقه انتخاب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده علوم پایه 1390

شبیه سازی مونت کارلو با کد corsika برای 5 نوع پرتوکیهانی اولیه، پروتون، هسته های هلیوم، سدیم، سیلیسیوم و آهن در انرژی های مختلف و در ارتفاع رصدخانهcangaroo انجام شده است و طیف فوتون های چرنکوف در انرژی های مختلف در محدوده طول موج (nm700-250) بدست آمده است. در بازه ی انرژی gev900–300 پارامتر طیفی نسبت نور ماوراءبنفش (nm300-250) به نور مرئی (nm 600- 300) را برای اولیه های مختلف بدست آورده ایم و ن...

ژورنال: تولیدات گیاهی 2020

چکیده توت‌فرنگی از ریزمیوه‌های مهم می‌باشد که اهمیت تجاری بالایی دارد. در این آزمایش که در سال 1395 در دانشگاه علوم کشاورزی و منابع طبیعی ساری، به‌صورت فاکتوریل با دو فاکتور بستر کاشت و تغذیه سیلیسیومی اجرا شد، دو بستر کاشت شامل بستردوگانه (نسبت مساوی کوکوپیت + پرلیت) و بستر سه‌گانه (نسبت مساوی کوکوپیت + پرلیت + پوسته برنج) و همچنین تغذیه سیلیسیومی در پنج سطح شامل صفر ...

ایان میچل, , محمد بلوریزاده, ,

  We have initiated a study to extract concentration profiles of ultra shallow phosphorous implants in silicon complementing published work on ultra shallow boron implant profiles. There is an ever-increasing interest in the production of p-n junctions in silicon to create the new generations of ultra large scale integrated (ULSI) devices. Such junctions can be formed by implantation do pants (...

In the present study phase transformation of silicon and silica during milling in different atmospheres was investigated. The silicon powder was subjected to high energy ball milling in ammonia (25%) atmosphere. The milled powder was subsequently annealed at 1200 ◦C for 1 hour. In another test a mixture of AlN and amorphous silica (micro silica) was subjected to high energy ball milling. The m...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم پایه 1389

در این کار نمونه های سیلیسیوم متخلخل از حکاکی الکتروشیمیایی ویفر سیلیسیوم نوع p با ساختار تک بلوری با جهت (100) به قطرnm 5/0+100 و مقاومت ویژه 2-5cm در محلول الکترولیت بر مبنای اسید هیدروفلوریک تهیه شده اند. الکترودها در عین اندازه گیری لایه ی آلومینیوم و طلا به ضخامت 30-40nm که در شرایط خلا 10mbar و به روش تبخیر گرمایی تهیه شده اند هستند. نمونه های متخلخل را تحت شرایط آندی سازی مختلف از جمله چ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم پایه 1392

در این پایان نامه ساختار و خواص نوری دولایه ای عایق- فلز (ag/sio2) که بر روی زیرلایه سیلیسیوم نوع n لایه نشانی شده مورد مطالعه قرار گرفته است. انگیزه ما از انتخاب دولایه ای فلز-دی الکتریک (نقره- دی اکسیدسیلیسیوم) به علت خواص نوری بسیار خوب و کاربردهای فراوان آن بوده است. از نتایج مهم این کار تحقیقاتی می توان به جذب بالای نمونه اشاره نمود که به تشدید پلاسمون های سطحی آن مربوط می شود. در فصل اول...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1393

آنزیم پروتئینازk (3.4.21.14)ec جزء خانواده سرین پروتئینازها میباشد که توسط قارچ tritirachum album limber تولید شده و این ارگانیسم را قادر میسازد کراتین را تجزیه و آن را به عنوان منبعی از قند و نیتروژن استفاده کند. این آنزیم دارای 279 اسیدآمینه و به صورت پلیپپتید تکرشتهای است. در جایگاه فعال این آنزیم 224ser، 69 hisو39 aspقرار دارد که هیستیدین و آسپارتات توسط یک باند هیدروژنی کوتاه به هم وصل میش...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1390

برای بخش عایق لایه های نازک معمولا از دی اکسید سیلیسیوم استفاده میکنندکه این اکسید از ترکیب سیلان و اکسیژن است. درنتیجه برای یک لایه با کیفیت ابتدا باید مکانیزم ترکیب سیلان با اکسیژن بدست بیاید. سپس رابطه فشار و دما با این مکانیزم و بدست آوردن یک مدل برای این لایه نشانی. درنهایت هم این نتایج بوسیله پراکندگی بازگشتی رادرفورد مورد آنالیز قرار گرفت تا کیفیت نهایی انها از نظر استوکیومتری مورد بررسی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید