در برخی ساختارهای پیوند جوزفسون بلند پاسخ های مدل فعلی پیوند با نتایج عملی، تفاوت داشته است و به همین دلیل برای رسیدن به نتایج عملی نزدیکتر، برای پیوند جوزفسون بلند، مدل جدیدی مطرح و شبیه سازی شد. در این پایان نامه ابتدا به مدل سازی پیوند جوزفسون بلند جدید، پرداخته می شود، سپس برای ساختن مدل، نرم افزار pspice انتخاب شده و مدل پیوند جوزفسون پایه به صورت شماتیک و لیست گره، ساخته می شود. دلیل انتخ...

در این پژوهش نانوسیمهای کادمیوم سولفید به روش سیلار ساخته شد و خواص اپتیکی آن به کمک طیف فوتولومینسانس و طیف جذب بررسی شد. خواس ساختاری به کمک عکس های میکروسکپ الکترون روبشی ، xrd، edx بررسی شد.

برای تحلیل و توصیف رفتار حالتهای الکترونی نانو سیم های کوانتومی در حضور ناخالصی هیدروژنی در فصل مشترک ساختارهای چند لایه ای مواد نیمه رسانا که فاقد تقارن وارونگی ساختاری هستند ، با تقریب خوبی می توان از هامیلتونی یک سیم شبه یک بعدی در حضور اتم هیدروژن و اثر اسپین – مدار راشبا استفاده کرد. سطحهای انرژی و همچنین ویژه حالتهای وابسته به اسپین ، از معادله تک الکترونی شرودینگر و به صورت تحلیلی بدست م...

نانوذرات سولفید روی خالص و آلاییده شده با منگنز، کبالت، مس و استرانسیوم به روش شیمیایی مرطوب سنتز شد و به عنوان فوتوکاتالیست برای تخریب رنگ متیلن آبی استفاده شد. خواص فیزیکی شیمیایی نانوذرات بااستفاده از آنالیز پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ انتقالی الکترونی (tem)، طیف سنج فرابنفش مرئی (uv-vis)، فوتو لومینسانس (pl) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مشخصه یابی شد. آنالیز xrd نمونه ها نشان داد که...

در این پایان نامه بازتابندگی بلور فوتونی متشکل از نیم رسانا های چاه کوانتومی و عوامل موثر بر آن مورد بررسی قرار گرفت و نشان داده شد که بازتابندگی ساختار برای یک پالس اُپتیکی علاوه بر قطبش آن به قطبش پالس دمش، شدت پالس دمش و تأخیر بین پالس دمش و پالس اُپتیکی بازتابشی از ساختار بستگی دارد. لذا ساختار می تواند به عنوان یک کلید اُپتیکی عمل کند. تمامی کلیدهای فوق سریع گامی به سوی نسل آیندة شبکه های اُپت...

لیزر گسیلنده از سطح نیمرسانا با جاذب اشباع پذیر، به عنوان محیطی مناسب برای لیزر سالیتون کاواک به شمار می رود. چنین ابزارهای لیزری به علت پاسخ دهی سریع ماده نیمرسانا و قابلیت یکپارچه شدن در مدارات اپتوالکترونیکی، ابزاری کارا و قدرتمند محسوب می شوند. در این سیستم، با حذف پرتو نگه دارنده ظرفیت لیزرهای سالیتون کاواک از دیدگاه کاربردی بسیار بهبود یافته است. حذف پرتو نگه دارنده باعث انعطاف پذیری بیشت...

در حال حاضر دو فناوری در ساخت سلول های خورشیدی غالب است: فناوری نسل اول و نسل دوم. فناوری نسل اول بر پایه ویفرهای سلیکونی با ضخامت µm300-400 است. تکنولوژی نسل دوم یا تکنولوژی لایه نازک، براساس لایه نشانی نیمه هادی روی بسترهای شیشه ای، فلزی یا پلیمری، در ضخامت های nm100 است و با قابلیت هایی مانند انعطاف پذیری و هزینه مواد اولیه پایین تر اندازه ی سلول تا 100 برابر بزرگتر از اندازه سلول ساخته شده ...

در این با استفاده از نظریه تابعی چگالی، ویژگی های ساختاری و الکترونی صفحه نیترید بور که هیدروژن دار ( فلوئوردار) شده را بررسی کردیم. محاسبات انرژی کل و ساختار باند الکترونی با کمک اصول اولیه و روش امواج تخت بهبودیافته خطی در مدل پتانسیل کامل و کد wien2k انجام شد. از تقریب شیب تعمیم یافته (gga)، برای بسط جمله پتانسیل تبادلی همبستگی استفاده شده است. ساختار بهینه شده نشان داد که پیوندهای bh,nh...

مستقیم¬ترین راه جهت تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریکی، استفاده از سلول¬های فوتوولتائیک می¬باشد. سلول¬های فوتوولتائیک به دلیل عدم نیاز به اجزای متحرک، هزینه نگهداری بسیار پایینی دارند و به همین جهت، به منظور کاربردهای بلند¬مدت مورد توجه قرار گرفته¬اند. سلول¬های فوتوولتائیک بسته به تکنولوژی مورد استفاده در ساخت آنها به سه دسته¬ی نسل اول، دوم و سوم تقسیم¬بندی می¬شوند. سلول¬های خورشیدی حساس¬شده با نق...

در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته است. در این پایان نامه، لایه های نازک سلنید قلع با روش رسوب گیری از حمام شیمیایی (cbd تهیه شدند و با ضخامت های مختلف در دماهای متفاوت بر روی زیرلایه شیشه ای قرار گرفته اند. پارامترهای ساختاری مختلف مانند اندازه ی دانه ها (d)، خواص نوری، ساختاری و گاف انرژی نانو ذرات سلنید قلع بر اساس تغییرات زمان و دمای محلول رسوب گیر...