هدف اصلی از این پایان نامه پیدا کردن راه حل جدیدی برای کاهش تلفات در مدارات cmos vlsi می باشد . بطور ویژه تمرکز بر ما بر کاهش تلفات نشتی است . اگر چه تلفات توان نشتی در تکنولوژی 18 نانومتر و بالاتر ناچیز است با این حال در تکنولوژی زیر 65 نانو متر مقدار آن قابل صرف نظر نیست و تقریبا با تلفات توان دینامیکی برابری می کند .در این پایان نامه یک ساختار جدید مداری جهت کاهش تلفات توان نشتی ارایه گردیده...

این پایان نامه به اراِئه ساختاری جدید به منظور کاهش نویز فاز و خطای فاز ناشی از عدم تطابق در تانک lc نوسان سازهای متعامد، نسبت به ساختارهای پیشین می پردازد. با توجه به اینکه عامل اصلی انحرافات فازی، وجود عدم تطابق تانک ها می باشد در نتیجه با معرفی ساختاری جدید، اقدام به کاهش میزان انحراف فاز سیگنال خروجی (به ازای عدم تطابق تانک ها های بالا ) می-کنیم. برای طراحی ساختار جدید باید توجه شود که ساختا...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

این رساله به طراحی دو میکسر توان با استفاده از تکنولوژی cmos180 نانومتر می پردازد. میکسر توان پیشنهادی اول با ساختار تاشده برای کاربردهای برد-کوتاه مانند بلوتوث کاربرد دارد. در حالی که میکسرتوان پیشنهادی دوم در باند k عمل می نماید و قابل پیاده سازی به صورت آرایه ای، برای تولید سیگنال خروجی با توان بزرگ (حدودا یک وات) است. میکسرتوان پیشنهادی اول با اعمال تکنیک تاشدگی در ساختار میکسر گیلبرت، طرا...

درسالیان اخیر با پیشرفت نیمه هادیهای توان و تکنولوژی مجتمع سازی ادوات نیمه هادی توجه چشمگیری به افزاره های توان شده است. در بین ادوات توان ساختار سیلیسم بر روی عایق به علت ویژگی های بسیاری از جمله، کاهش خازن های پارازیتیک، ایزولاسیون تقریبا ایده آل و کاهش جریان های نشتی به زیر لایه مورد توجه قرار گرفته است به خصوص خاصیت ایزولاسیون بالای آن باعث شده است که در کاربردهای مدارات مجتمع توان امکان مج...

به منظور بررسى اثرات تنش کم‏آبى و پتاسیم بر عملکرد و راندمان مصرف آب اقتصادی و بیولوژیک سیب‏زمینى رقم آئولا از روش آبیارى بارانى با مقادیر مختلف آب در مرکز تحقیقات کشاورزى و منابع طبیعی خراسان رضوی (مشهد) استفاده شد. در این تحقیق از طرح آماری اسپلیت بلوک بر پایه بلوکهای کامل تصادفی با سه تکرار استفاده شد. تیمار پتاسیم در عرض زمین عمود بر کرت­های اصلی و به طور تصادفی و در سطوح  صفر، 90، 180 و 27...

In this work, a lightly doped drain and source CNTFET with a linear channel impurity halo is proposed and the effect of linear halo slope variation on ON current, ON–OFF current ratio, leakage current, power–delay product (PDP) and cutoff frequency has been investigated. Proposed linear halo lightly doped drain and source CNTFETs has been simulated using non equilibrium Green’...

به منظور بررسی اثرات تنش کم‏آبی و پتاسیم بر عملکرد و راندمان مصرف آب اقتصادی و بیولوژیک سیب‏زمینی رقم آئولا از روش آبیاری بارانی با مقادیر مختلف آب در مرکز تحقیقات کشاورزی و منابع طبیعی خراسان رضوی (مشهد) استفاده شد. در این تحقیق از طرح آماری اسپلیت بلوک بر پایه بلوکهای کامل تصادفی با سه تکرار استفاده شد. تیمار پتاسیم در عرض زمین عمود بر کرت­های اصلی و به طور تصادفی و در سطوح  صفر، 90، 180 و 27...

در این پایان نامه، به بررسی و طراحی مدارهای بخش تامین توان در کاربردهایی که توان به صورت بی سیم فراهم می شود، در فناوری 0.18 میکرومتر cmos پرداخته شده است. این بخش از چهار بلوک مداری اصلی شامل محدود کننده، یکسوساز ولتاژ، مرجع ولتاژ و جریان و تنظیم کننده ی ولتاژ تشکیل شده است. یک محدود کننده ی کاملا متقارن برای کاهش ولتاژهای زیاد در دو سر آنتن پیشنهاد شده است، که از افزایش بیش از حد سیگنال ورودی...