د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روشِ تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عددِ اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی‌ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعددِ اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیادِ مقدارِ عددِ اِشغال را به این عوامل نش...

گسترش روزافزون فن آوری نانو در دهه‌های اخیر و پیدایش کاربردهای بیشتر در حوزه‌های جدید تری از علوم، حکایت از اهمیت فوق العاده این علم دارد. بخش مهمی از فن آوری نانو به علوم داروئی و طراحی و ساخت سامانه‌های دارورسانی نانو مربوط می‌شود که موضوع این مقاله مروری است. در این مقاله ابتدا به ذکر کلیاتی در باره فن آوری دارویی نانو، تاریخچه، کاربرد و تقسیم بندی انواع نانو سامانه‌های دارویی پرداخته می‌شو...

ضریب رسانش گرمایی یک عامل بسیار متغیر وابسته به خواص و ساختار سنگها و بسیار مهم برای اندازه گیری شار گرمای زمین محسوب می شود. در این مقاله با معرفی یک دستگاه دو میله که بر اساس شار گرمایی معلوم در یک نمونه سنگ به صورت مانا کار می کند‘ ضریب رسانش گرمایی چند نمونه سنگ از مکانهای مختلف ایران اندازه گیری شده و با مقادیر گزارش شده توسط افراد دیگر مقایسه و بحث می شود. دستگاه مذکور که توسط امکانات مو...

گرافین صفحه‌ای از اتم‌های کربن است که به صورت یک تا چندلایه (حدود ده لایه) خواص دوبعدی خود را حفظ می‌کند. در این بین گرافین سه‌لایه به علت پایداری و فراوانی نسبت به دیگر ساختارها، مورد توجه است. چون تعداد و چگونگی قرارگیری لایه‌ها نسبت به هم خواص ترابردی ماده و طیف پاشندگی را تغییر می‌دهد؛ بنابراین در بررسی گرافین سه‌لایه ساختار برنل ABA به تحلیل هامیلتونی و ساختار نواری آن پرداخته‌ایم. بررسی‌ه...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

شیوه های مرسوم درمان سرطان بر ریشه کن کردن سلول های توموری، از طریق شیمی درمانی و رادیوتراپی، و فعال سازی سیستم ایمنی برای از بین بردن سلول های توموری تاکید دارد. با آنکه این شیوه های درمانی در برخی سرطان ها پاسخ خوبی داشته است، لازم است درمان های اختصاصی تری برای بیمارانی که به درمان های معمول پاسخ نمی دهند، ابداع شود. به علاوه باید از آسیب بافت های نرمال، که به دنبال درمان های معمول ایجاد می ...

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...