نتایج جستجو برای: رسانش بایاس صفر
تعداد نتایج: 18591 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...
تشخیص و شناسایی گازهای آلاینده همواره موضوعی مهم و اساسی در صنایع و به ویژه صنایع پتروشیمی بوده است. خطرات ناشی از مواد شیمیایی و گازهای سمی سالانه موجب مسمومیت و حتی مرگ بسیاری از انسان ها، جانوران و گیاهان می شود. حسگرهای شیمیایی گاز بر پایه پلیمرهای رسانا با توجه به خواص ویژه ی آن ها در طی چند دهه ی اخیر رشد چشمگیری داشته است. ساخت آسان، مواد اولیه ارزان، پایداری مناسب و خواص حسگری و انتخاب...
در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعهی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار میکند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست با فرض برهمکنش نزدیک ترین همسایه به بررسی رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک نانو بلور نامتناهی با ساختار مکعبی ساده شامل یک بار یا دوقطبی الکتریکی واقع در سطح مقطع آن می پردازیم. نتایج نشان می دهد که با انتقال بار الکتریکی از مرکز به سمت سطح نانو بلور، ضریب عبور سامانه افزایش می یابد درحالی که انتقال دوقطبی از مرکز به سمت سطح نانو بلور...
با استفاده از محاسبات کوانتومی مبتنی بر نظریه تابعی چگالی و روش شبه پتانسیل، خواص الکترونی انبوهه آهن و کبالت و همچنین آلیاژ آهن و کبالت محاسبه شد و سپس با اعمال نظریه توابع وانیر و فاز بری، رسانایی ذاتی غیر عادی هال در این ساختارها استخراج گردید. مشاهده شد که شکافتگیهای نواری ناشی از برهم کنش اسپینمدار در تراز فرمی، سهم اصلی را در انحنای بری داراست. نتایج به دست آمده توافق قابل قبولی با اندا...
این مقاله در حالت عمومی ، روش های رسیدن به حل تحلیلی و دقیق معادلات دیفرانسیل رسانش با مشتقات جزئی حالت پایا و نتیجتا حصول دقیق تابع توزیع دما ، در هندسه های نامنظم که دارای مرز یا مرزهایی غیر موازی با محور های مختصات در دستگاه دکارتی اند (با انواع مختلف شرایط مرزی) را معرفی می کند. برای رسیدن به این هدف و وضوح بیشتر در بحث ، در یک حالت خاص ، صفحه ای با شکل مثلث قائم الزاویه دارای راس قائمه ی و...
گرافین، یک لایه ی دو بعدی از اتم های کربن است که در یک ساختار زنبور عسلی چیده شده است. این ماد ه ی دو بعدی که مانند نیمه رسانای با گاف صفر رفتار می کند، به دلیل داشتن الکترون های دیراک گونه ی نسبیتی متمایز از نیمه رساناهای معمول رفتار می کند. همچنین گرافین به دلیل داشتن اندازه ی از مرتبه ی اتمی، قابلیت تبدیل به مواد فرومغناطیس با الکترون های اسپین قطبیده را دارد که این امر گرافین را در علم اسپی...
مقدمه: نانو لیپوزوم ها، کپسول های نانومتری کروی با غشاء لیپیدی می باشند که به عنوان حامل های دارویی برای بهبود رسانش عوامل درمانی مورد مطالعه قرار می گیرند. این تحقیق به منظور ارتقای اثرگذاری داروی گیاهی سیلیبینین از طریق بارگذاری این دارو در نانولیپوزوم برای رسانش به سلول های سرطانی کبد می باشد. سیلیبینین نیز یکی از داروی های ضدسرطان است که خاصیت ضدتوموری آن در کاهش ماده n-nitrosodiethylamine ...
وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید