در این پایان نامه ابتدا ساختار اسپینی روی (so(n -کلاف های اصلی مانند ξ، با فضای پایه b را معرفی و پارامتری سازی می کنیم. سپس مانع وجودی یک ساختار اسپینی را بررسی خواهیم کرد و نشان می دهیم در صورتی که مانعی روی ساختارهای اسپینی وجود نداشته باشد، تعداد ساختارهای اسپینی مجزا روی ξ برابر تعداد عناصر (h^1(b,z_2 است. همچنین ساختار اسپینی روی منیفلد اسپینی s^2 را به طور مبسوط مورد بررسی قرار می دهیم.

در این رساله رسانش الکترونی وابسته به اسپین در نانو ساختارهای پایه کربنی در چارچوب فرمولبندی ترابرد همدوس لاندائور و با استفاده از هامیلتونی بستگی قوی تک باندی و چند باندی، توابع گرین سطحی و ماتریس های انتقال بررسی و محاسبه می شود. ویژگی های مغناطیسی مورد بررسی، ناشی از خواص مغناطیسی تهی جای ها، اتمهای مغناطیسی ناخالصی و میدانهای خارجی است. بعلاوه خواص مغناطیسی نانو دیسک ها و نانو نوار های گراف...

یکی از سیستم های بس ذره ای جذاب، گاز الکترونی است. الکترونهای آزاد داخل فلزات یک نمونه عینی برای این سیستم می باشند. در این پایان نامه با استفاده از روش کوانتش دوم و بسط خوشه ای انرژی برخی از جنبه های گاز الکترونی نظیر انرژی بر واحد ذره، فشار و ضریب تراکم ناپذیری بر حسب تابعی از چگالیr_s) (مورد بررسی قرار گرفته است.برای نیل به این هدف ابتدا سیستمی را در نظر می گیریم که در آن تعداد الکترونهای با...

تک مولکول‏ های مغناطیسی‏، مولکول هایی متشکل از فلزات مغناطیسی هستند که اطراف آن ها را ترکیباتی از اتم های غیرمغناطیسی به نام لیگاند احاطه کرده اند و پایین تر از دمای انسداد در مقیاس مولکولی‏، رفتار سوپرپارامغناطیسی از خود نشان می دهند.‎ ‎‎ ‎‎این مولکول ها شامل تعداد متناهی ای از مراکز اسپینیِ برهم کنش کننده (به عنوان مثال‏، یون های پارامغناطیس) هستند‏ و به دلیل وجود برهم کنش قوی بین یون های پارا...

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

: هدف از این مقاله به دست آوردن حالت پایه یک زنجیره اسپینی پاد فرومغناطیس، شامل ذرات با اسپین یک می باشد. برای این منظور از روش ضرب ماتریسی استفاده کرده ایم و سپس تقارن های لازم را اعمال کرده ایم. در نهایت با استفاده از روش ضرب ماتریسی، فرم صریح حالت پایه این زنجیره بدست آمده است.

گرافین، لایه ای دوبعدی از اتم های کربن با ساختار شبکه ای لانه زنبوری است که حامل های بار در آن مانند فرمیون های دیراک بدون جرم رفتار می کنند و دارای دو درجه آزادی اضافی شبه اسپین زیرشبکه و متناظر فضای وارون آن، وادی، هستند. در این پایان نامه، اثر درجه آزادی شبه اسپین را بر خواص ترابرد کوانتومی در نانوساختارهای گرافینی نرمال و ابررسانا بررسی می کنیم. در قسمت اول از این پایان نامه، به مطالعه امکا...

در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده آل در حضور و غیاب نقص های شبکه ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص های شبکه ای را می توان به عنوان اتصال های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی ها در نظر گرفت. نتایج نشان می دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می کن...

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...