We study tunneling conductance of a graphene based normal metal-insulator-superconductor (NIS) junction with Corbino disk structure. Solving Dirac-Bogolioubov- De Gennes (DBdG) equation in different regions of the junction and employing scattering approach we obtain normal and Andreev reflection coefficients of the junction. Using Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK) formula we calculate tunneling co...

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

کشف همزیستی بین فرومغناطیس و ابررسانایی در موادی مثل uge2 ، zrzn2 ، urhge باعث به وجود آمدن دسته جدیدی از مواد شده است که به ابررساناهای فرومغناطیس (fs) مشهور شده اند. سوال بسیار مهم، مکانیسمجفت کوپر در این مواد است که توجه زیادی را در فیزیک دمای پایین به خود جلب کرده است. در این رساله به مطالعه رسانش تونلی در نانو اتصال بین یک ابررسانای فرومغاطیس و یک فلز در چارچوب نظریه btk می پردازیم که ابرر...

جلوه دیگر ماهیت کوانتومی ابررسانایی (ابرشاره ای)، ابررسانندگی(ابرشارگی) ضعیف است که آثار جوزفسون نامیده می-شود. در سال 1962، جوزفسون در یک مقاله نظری، دو اثر جالب را پیش بینی کرده بود. که خیلی زود به صورت تجربی به اثبات رسیدند. ابررسانندگی ضعیف به رفتاری اشاره دارد که در آن دو ابررسانا با یک اتصال ضعیف به یکدیگر وصل شده اند. این اتصال را می توان با پیوند تونلی ایجاد کرد لذا این آثار در پیوند گا...

چکیده ندارد.

در این مقاله، ترکیبات نانو شبه بلوری آلومینیوم-نیکل-کروم به وسیله آسیا کاری مکانیکی پس از عملیات حرارتی و کوئنچینگ متعاقب، با موفقیت ساخته شدند. اثر دمای عملیات حرارتی بر تشکیل فازهای بلوری و شبه بلوری به وسیله پراش پرتو ایکس و میکروسکوپ تونلی روبشی مطالعه شد. اندازه بلور فاز شبه بلوری به وسیله میکروسکوپ الکترونی عبوری در بزرگنمایی بالا بررسی شد. افزون بر این، رفتار خوردگی ترکیبات تولید شده، به...

بررسی‌ها درخصوص سیستم قالب‌تونلی، حاکی از تقدم مدهای پیچشی بر مدهای انتقالی در بسیاری از ساختمان‌های متداول با سیستم مذکور است. این ویژگی مختص ساختمان‌های نرم پیچشی است، که در آنها غالباً خروج از مرکزیت جرم، سختی و مؤلفه‌ی پیچشی زلزله سبب افزایش پاسخ‌های نیرویی و تغییرمکانی می‌شود. در مطالعه‌ی حاضر، حساسیت لرزه‌یی ساختمان‌های قالب‌تونلی ۵ و ۱۰ طبقه به توزیع نامتقارن جرم در پلان ارزیابی و به ازاء...

به دلیل فقدان اطلاعات کافی و تجربه‌ی آسیب‌پذیری ساختمان‌های بتن‌آرمه با شیوه‌ی ساخت قالب‌تونلی در زلزله‌های پیشین، استفاده از ضرایب رفتار سازه‌های با دیوار باربر بتن‌آرمه در یک فرایند طراحی لرزه‌یی، نگرانی‌هایی را به‌دنبال دارد. این نقصان از چالش‌های اصلی طراحی سازه‌های مذکور به روش آیین‌نامه‌های طراحی لرزه‌یی است. در این مطالعه، ضمن تعریف و تشریح مراحل استخراج دو پارامتر ضریب رفتار طلب و ضری...

-

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...