در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آ...

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از ج...

در این رساله طراحی و تحلیل بخش آنالوگ گیرنده غیرهمدوس uwb مبتنی بر آشکارسازی انرژی در سطح سیستمی و مداری ارائه می شود. اثرات غیر ایده آل بلوکهای گیرنده به منظور دست یابی به مشخصات فنی طراحی، در شبیه سازی سیستمی با سیمولینک matlab مورد توجه قرار گرفته است. در ota مقادیر iip3 و توان مصرفی مورد نیاز برابر dbm15 و mw2 است. همچنین در مربع کننده iip3، توان مصرفی و بهره در ber 3-10 به ترتیب برابر dbm1...

در این پژوهش دیود شاتکی با ساختار al-pani/mwcnt-au به روش لایه نشانی چرخشی و بخار فیزیکی ساخته شده است. برای این منظور لایه نازکی از طلا بر روی شیشه آزمایشگاهی به روش بخار فیزیکی لایه نشانی شد، سپس پلی آنیلین در محیطی که نانو لوله کربنی پخش شده بود، به روش پلیمریزاسیون رادیکالی پلیمریزه شده و کامپوزیت پلی آنیلین/ نانو لوله کربنی چند دیواره تهیه گردید. فیلم یکنواختی از کامپوزیت حاصل روی سطح طلا ...

در این کار تحقیقاتی به بررسی رفتار پسیواسیون و پایداری آلیاژ گاما تیتانیم آلومیناید در الکترولیت های اسیدی اسید سولفوریک، اسید نیتریک و اسید پرکلریک پرداخته شده است. به منظور بررسی رفتار پسیواسیون این آلیاژ و همچنین دست یافتن به درکی مناسب از خواص حفاظت کنندگی و ویژگی های الکتریکی لایه پسیو تشکیل شده در سطح این آلیاژ که به عنوان یک نیمه هادی در نظر گرفته میشود از تکنیک های الکتروشیمیایی مانند پ...

ترانزیستور یکی از مهم ترین قطعات الکترونیکی است، که ساخت آن تحول عظیمی در فرآورده های الکترونیکی ایجاد کرد، قبل از اختراع ترانزیستور، از لامپ های خلاء بزرگ و پر مصرف استفاده می شد. ترانزیستور از ادوارات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلسییوم و ژرمانیوم ساخته می شود. ساخت ترانزیستورهای کوچک تر همواره از نیازهای انسان بوده است، چرا که سرعت پردازشگرها رابطه ی مستقیمی با تعداد ترانزیس...

سلول های خورشیدی حساس به رنگ ، از گروه سلول های خورشیدی لایه نازک هستند که تا کنون به مرحله ی تجاری شدن رسیده اند. اما علی رغم داشتن پتانسیل بالا هنوز دارای بازده پایین تر نسبت به سلول های خورشیدی سیلیکونی هستند. بررسی عوامل موثر بر ترابرد بار در سلول های خورشیدی از جمله عواملی هستند که برای بهینه سازی و رسیدن به بازده بالاتر بسیار مهم است. در این پایان نامه با استفاده از حل عددی معادلات پیوستگ...

قطعات ساندویچی al/clinpc/al بالایه نشانی به روش تبخیر گرمایی در خلاء ساخته شدند. ضخامت قطعات آماده شده به شرح زیر است : لایه آلومنیوم50nm /لایه کلروایندیوم فتالوسیانین 100nm / لایه آلومنیوم 50nm . در رسانندگی dc جریان این قطعات در بازه ولتاژی 0.04v – 2.5 v وبازه دمایی 303k – 413k اندازه گرفته شده است . سپس نمودارهای lnj بر حسب lnv ، lnj بر حسب 1000/t ، lnj بر حسب v^(1?2) رسم شده است. از نمودار...

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...